"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Performance Enhancement of GeSn Transistor Laser with Symmetric and Asymmetric Multiple Quantum Well in the Base
Полная версия: 10.1134/S1063782620010212
Department of Science and Technology (Govt. of India), Joint Indo-Taiwan Project "High Responsivity GeSn Short Wave Infrared Phototransistor, GITA/DST/TWN/P-63/2015 dated December 31,2015
Ghosh Soumava1, Mukhopadhyay Bratati1, Sen Gopa1
1Institute of Radio Physics, Electronics, 92 A. P. C Road, Kolkata, West Bengal, India
Email: ghoshsoumava2@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

The performance of a Multiple Quantum Well (MQW) Heterojunction Bipolar Transistor Laser (HBTL) has been studied using GeSn alloy. Both symmetric and asymmetric quantum wells have been considered. Main analysis is focused on finding the minority carrier concentration in the base, the base threshold current, light output power of the device and the values are compared with GeSn based Single Quantum Well and InGaAs based Multiple Quantum Well Transistor Laser. Keywords: HBTL, SQW, S-MQW, A-MQW.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.