"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3d-примесями Mn, Fe
Переводная версия: 10.1134/S1063782620010145
Мездрогина М.М.1, Виноградов А.Я.1, Кожанова Ю.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.M@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Исследовано влияние примесей Fe, Mn на магнитные параметры широкозонных полупроводниковых пленок ZnO, полученных методом высокочастотного распыления при широком варьировании концентрации дефектов. Введение магнитных примесей Mn, Fe приводит наличию магнитоупорядоченного состояния в полупроводниковой матрице с различным положением оси легкого намагничивания, расположенной в случае легирования Mn перпендикулярно плоскости пленки, в случае Fe --- в плоскости пленки ZnO. Ключевые слова: широкозонный полупроводник, пленки ZnO, металлические 3d примеси Fe, Mn.
  1. М.М. Мездрогина, В.Г. Семенов, Ю.В. Кожанова, С.Г. Нефедов, Л.А. Шелухин, В.В. Павлов. ФТТ, 88 (3), 500 (2018)
  2. В.И. Смирнов, Е.Л. Смирнова, М.М. Мездрогина, А.А. Андреев. ФТТ, 24 (1), 315 (1982)
  3. М.М. Мездрогина, А.Я. Виноградов, Ю.В. Кожанова. ФТТ, 52 (10), 1115 (2018)
  4. D.C. Lock, D.C. Reynolds, J.R. Sizelove, R.J. Jons, C.W. Litton, G. Gantwell, W.C. Harch. Sol. St. Commun., 105, 399 (1008)
  5. I.V. Rozhansky, I.V. Krainov, N.S. Averkiev, E. Lahderanta. Phys. Rev. B, 88, 155326 (2013)
  6. X. Xue, L. Liu, Zh. Wang, Y. Wu. J. Appl. Phys., 115, 033902 (2014)
  7. T. Wang, H. Wu, Z. Wang, C. Chen, C. Liu. Appl. Phys. Lett., 101, 161905 (2012)
  8. H.H. Huang, G.J. Fang, X.M. Mo, H. Long, H.N. Wand, S.Z. Li, Y. Li, Y.P. Zhang, C.X. Pan, D.L. Caroll. Appl. Phys. Lett., 101, 223504 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.