"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)
Переводная версия: 10.1134/S106378262001008X
Фукс А.А.1, Бакулин А.В.1,2, Кулькова С.Е.1,2, Валишева Н.А.3, Постников А.В.4
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Лотарингский университет, Мец, Франция
Email: bakulin@ispms.tsc.ru
Поступила в редакцию: 14 января 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Методом проекционных присоединенных волн изучена энергетика связи кислорода и фтора на поверхности InSb(111) в зависимости от ее окончания. Показано, что на поверхности с индиевым окончанием адсорбция фтора в зависимости от его концентрации приводит к частичному или полному удалению из запрещенной щели поверхностных состояний, индуцированных адсорбцией кислорода. Проникновение обоих адсорбатов в подповерхностные слои приводит к разрушению In-Sb-связей и формированию химических связей фтора и кислорода с приповерхностными атомами подложки, что является начальным этапом образования фторсодержащего анодного оксидного слоя. В случае поверхности InSb(111), оканчивающейся сурьмой, адсорбция кислорода способствует понижению плотности поверхностных состояний в запрещенной щели. Обсуждаются общие тенденции в изменении электронной структуры поверхности (111) при коадсорбции фтора и кислорода в ряду AIIIBV полупроводников. Ключевые слова: AIIIBV, поверхность (111), адсорбция, электронная структура.
  1. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 1993)
  2. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Device (Wiley Interscience Publication, N. Y., 1981)
  3. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  4. Ж.И. Алфёров. УФН. Нобелевские лекции по физике, 172, 1068 (2002)
  5. D.L. Allara. Nature, 437, 638 (2005)
  6. C.L. Hinkle, E.M. Vogel, P.D. Ye, R.M. Wallace. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci., 15, 188 (2011)
  7. N.N. Berchenko, Yu.V. Medvedev. Russ. Chem. Rev., 63, 623 (1994)
  8. Н.А. Корнюшкин, Н.А. Валишева, А.П. Ковчавцев, Г.Д. Курышев. ФТП, 30, 914 (1996)
  9. R.K. Ahrenkiel, L.L. Kazmenski, O. Jamjoum, P.E. Russel, P.J. Ireland, R.S. Wagner. Thin Sol. Films, 95, 327 (1982)
  10. G. Lucovsky, R.S. Bauer. J. Vac. Sci. Technol., 17, 946 (1980)
  11. N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.V. Kovchavcev. Appl. Surf. Sci., 256, 5722 (2010)
  12. N.A. Valisheva, M.S. Aksenov, V.A. Golyashov, T.A. Levtsova, A.P. Kovchavtsev, A.K. Gutakovskii, S.E. Khandarkhaeva, A.V. Kalinkin, I.P. Prosvirin, V.I. Bukhtiyarov, O.E. Tereshchenko. Appl. Phys. Lett., 105, 161610 (2014)
  13. M.S. Aksenov, A.Yu. Kokhanovskii, P.A. Polovodov, S.F. Devyatova, V.A. Golyashov, A.S. Kozhukhov, I.P. Prosvirin, S.E. Khandarkhaeva, A.K. Gutakovskii, N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko. Appl. Phys. Lett., 107, 173501 (2015)
  14. V.M. Bazovkin, N.A. Valisheva, A.A. Guzev, V.M. Efimov, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, I.I. Lee, A.S. Stroganov. Proc. SPIE, 5126, 118 (2012)
  15. K. Ahrenkiel, L.L. Kazmenski, P.J. Ireland, O. Jamjoum, P.E. Russell, D. Dunlavy, R.S. Wagner, S. Pattillo, T. Jervis. J. Vac. Sci. Technol., 21, 434 (1982)
  16. S. Miyamura, Y. Kasai, Y. Yamamura, T. Inokuma, K. Iiyama, S. Takamiya. Jpn. J. Appl. Phys., 42, 7244 (2003)
  17. M. Scarrozza, G. Pourtois, M. Houssa, M. Caymax, M. Meuris, M.M. Heyns, A. Stesmans. Surf. Sci., 603, 203 (2009)
  18. W. Wang, G. Lee, M. Huang, R.M. Wallace, K. Cho. Microelectron. Eng., 88, 3419 (2011)
  19. S.M. Lee, S.-H. Lee, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 69, 125317 (2004)
  20. А.В. Бакулин, С.В. Еремеев, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова. ФТП, 45, 23 (2011)
  21. С.В. Еремеев, Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова. ФТП, 46, 53 (2012)
  22. A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, S.V. Eremeev, O.E. Tereshchenko. J. Phys. Chem. C, 118, 10097 (2014)
  23. A. Bakulin, S. Kulkova, O.E. Tereshchenko, A. Shaposhnikov, I. Smolin. IOP Conf. Series: Mater. Sci. Eng., 77, 012002 (2015)
  24. А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова. ФТП, 50, 171 (2016)
  25. A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, M.S. Aksenov, N.A. Valisheva. J. Phys. Chem. C, 120, 17491 (2016)
  26. N.A. Valisheva, A.V. Bakulin, M.S. Aksenov, S.E. Khandarkhaeva, S.E. Kulkova. J. Phys. Chem. C, 121, 20744 (2017)
  27. P.E. Blochl. Phys. Rev. B, 50, 17953 (1994)
  28. G. Kresse, D. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
  29. G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 49, 14251 (1994)
  30. G. Kresse, J. Furthmuller. Comp. Mat. Sci., 6, 15 (1996)
  31. J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
  32. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Device (N. Y., Wiley Interscience Publication, 1981)
  33. K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Jpn., 59, 3455 (1990)
  34. H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
  35. J. Heyd, G.E. Scuseria, M. Ernzerhof. J. Chem. Phys., 118, 8207 (2003)
  36. A.V. Krukau, O.A. Vydrov, A.F. Izmaylov, G.E. Scuseria. J. Chem. Phys., 125, 224106 (2006).
  37. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  38. W. Tang, E. Sanville, G. Henkelman. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 084204 (2009)
  39. J. Makela, Z.S. Jahanshah Rad, J.P. Lehtio, M. Kuzmin, M.P.J. Punkkinen, P. Laukkanen, K. Kokko. Sci. Rep., 8, 14382 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.