Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение концентрации свободных носителей заряда в легированных бором кремниевых нанонитях при помощи инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48455.9157

Переводная версия: 10.1134/S1063782619110113

Министерство образования и науки Российской Федерации, 16.2969.2017/4.6

Липкова Е.А.¹, Ефимова А.И.

¹, Гончар К.А.

¹, Преснов Д.Е.

^2,1, Елисеев А.А.

³, Лапшин А.Н.⁴, Тимошенко В.Ю.

^1,5,6

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (НИИЯФ им. Д.В. Скобельцина), Москва, Россия Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow State University, Moscow, Russia

Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow State University, Moscow, Russia

³Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия Department of Material Science, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Material Science, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

⁴ООО "Брукер", Москва, Россия Bruker LTD, Moscow, Russia

⁵Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

⁶Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: lipkovaliza@gmail.com, efimova@vega.phys.msu.ru, k.a.gonchar@gmail.com, denis.presnov@physics.msu.ru, eliseev@inorg.chem.msu.ru, alexander.lapshin@bruker.com, vtimoshe@gmail.com

Поступила в редакцию: 13 мая 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом инфракрасной спектроскопии в режиме нарушенного полного внутреннего отражения определена концентрация свободных носителей заряда в массивах кремниевых нанонитей с характерными поперечными размерами 50-100 нм и длиной ~10 мкм, сформированных на низколегированных подложках кристаллического кремния p-типа проводимости методом металл-стимулированного химического травления и подвергнутых дополнительному термодиффузионному легированию бором при температурах 850-1000^oС. Установлено, что в зависимости от температуры отжига концентрация свободных дырок в массивах варьируется от 5·10¹⁸ до 3·10¹⁹ см^-3 и максимальна при температурах 900-950^oC. Полученные результаты могут быть использованы для расширения области применения кремниевых нанонитей в фотонике, сенсорике и термоэлектрических преобразователях энергии. Ключевые слова: легированные кремниевые нанонити, спектроскопия нарушенного полного отражения, свободные носители заряда, металлстимулированное химическое травление.

A.S. Kalyuzhnaya, A.I. Efimova, L.A. Golovan, K.A. Gonchar, V.Yu. Timoshenko. In: Silicon Nanomaterials Soursebook. Arrays, Functional Materials, and Industrial Nanosilicon, ed. by K.D. Sattler (CRC Press-Taylor \& Francis Group, 2017) p. 3
E. Krali, Z.A.K. Durrani. Appl. Phys. Lett., 102, 143102 (2013).
H. Zhang, R. Zhang, K.S. Schramke, N.M. Bedford, K. Hunter, U.R. Kortshagen, P. Nordlander. ACS Photonics, 4 (4), 963 (2017)
К.С. Секербаев, Е.Т. Таурбаев, А.И. Ефимова, В.Ю. Тимошенко, Т.И. Таурбаев. ФТП, 51 (8), 1095 (2017)
H. Han, Z. Huang, W. Lee. Nano Today, 9, 271 (2014)
S. Weidemann, M. Kockert, D. Wallacher, M. Ramsteiner, A. Mogilatenko, K. Rademann, S.F. Fischer. J. Nanomaterials, 2015, 672305 (2015)
A.I. Hochbaum, R. Chen, R.D. Delgado, W. Liang, E.C. Garnett, M. Najarian, A. Majumdar, P. Yang. Nature Lett., 451, 163 (2008)
S.P. Rodichkina, T. Nychyporuk, A. Pastushenko, V.Yu. Timoshenko. Phys. Status Solidi RRL, 12 (9), 1800224 (2018)
Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. УФН, 177 (6), 619 (2007)
Л.А. Осминкина, Е.В. Курепина, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 38 (5), 603 (2004)
F.M.Jr. Mirabella. Appl. Spectrosc. Rev., 21 (1-2), 45 (1985)
M. Toriumi, M. Yanagimachi, H. Masuhara. Appl. Optics, 31 (30), 6376 (1992).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель