Представлены результаты исследований получения ncl-Si в аморфной матрице a-SiO_x : H с помощью модулированной по времени DC-плазмы при повышенном содержании кислорода C_{О_2}=21.5 мол% в газовой смеси (SiH_4-Ar-O₂). Модуляция плазмы заключалась в многократном n=180 включении на время t_on=5, 10, 15 c и выключении на время t_off=5, 10, 15 c катушки магнита DC-магнетрона. При этом для усиления процессов диссоциации SiH₄, формирования наночастиц Si, ионизации кислорода и потоков ncl-Si в сторону электродов использовался эффект самоиндукции. Образцы располагались как на электроизолированном подложкодержателе вблизи анода, так и на катоде вне его зоны эрозии. Эти эксперименты показали, что форма кривых зависимости интенсивности фотолюминесценции I_PL^ncl-Si от длины волны излучения λ для всех пар образцов на аноде и на катоде идентичны. Когда значение t_on мало (t_on=5 с), различие расположения образцов сказывается на ИК-спектры слабо. Увеличение t_on≥10 c и малом t_off=5 c приводит к обогащению аморфной матрицы, расположенной на катоде (по сравнению с анодом), кислородом. Определены оптимальные параметры модуляции плазмы t_off/t_on=5, 10, 15/10 и t_off/t_on=5, 10/15, когда аморфная матрица обладала "совершенной структурой" и прозрачностью для излучения, а I_PL^ncl-Si была бы наибольшей в области λ~0.75-0.9 мкм. Ключевые слова: модулированная DC-плазма, матрица a-SiO_x : H, ncl-Si, (SiH_4-Ar) + 21.5 мол% О₂, анод, катод.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.