Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48446.9191

Переводная версия: 10.1134/S106378261911006X

Center of Multi-User Scientific Equipment “Materials Science and Diagnostics for Advanced Technologies”, (Ioffe Institute), Supported by the Russian Ministry of Education and Science, SIMS, SEM and X-ray microanalysis measurements, project ID RFMEFI62117X0018

Гагис Г.С.¹, Левин Р.В.¹, Маричев А.Е.¹, Пушный Б.В.¹, Щеглов М.П.¹, Бер Б.Я.¹, Казанцев Д.Ю.¹, Кудрявцев Ю.А.², Власов А.С.¹, Попова Т.Б.¹, Чистяков Д.В.³, Кучинский В.И.^1,4, Васильев В.И. ¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Cinvestav-IPN, Cinvestav-IPN, Mexico

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: galina.gagis@gmail.com

Поступила в редакцию: 17 июня 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы гетероструктуры GaInPAs/InP, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при температуре 600^oC и давлении 0.1 бар. Толщины выращенных слоев GaInAsP составляли ~1 мкм. Методом вторичной ионной масс-спектрометрии для твердых растворов Ga_1-xIn_xP_1-yAs_y со средними составами x=0.77-0.87, y=0.07-0.42 выявлено изменение содержания атомов V группы y по толщине эпитаксиального слоя на величину Delta y вплоть до 0.1 атомных долей в подрешетке элементов V группы. В большинстве случаев изменение y происходит в слое GaInAsP на протяжении до 200 нм от гетерограницы с InP. В отдельных случаях y изменяется на протяжении всего эпитаксиального слоя GaInPAs. Для эпитаксиальных слоев с удовлетворительным кристаллическим совершенством, величина Delta y была меньшей в случае лучшего согласования эпитаксиального слоя GaInPAs с подложкой. Для слоев GaInPAs, сильно рассогласованных с подложкой и характеризующихся низким кристаллическим совершенством, величина Delta y была близка к нулю. Все эти факты позволяют предположить, что на встраивание атомов V группы в формирующуюся кристаллическую решетку влияют упругие деформации, возникающие в формирующемся монослое, рассогласованном с ростовой поверхностью. Ключевые слова: газофазная эпитаксия, твердые растворы, гетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи.

Y. Akiyama, M. Sasaki, H. Yuasa, N. Nishida. LaserOpto, 33 (4), 46 (2001)
A. Sasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 19 (9), 1695 (1979)
K. Onabe. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (6), L323 (1982)
Po-Hsun Lei. Optics Commun., 273, 532 (2007)
M. Razeghi. MOCVD Challenge. Survey of GaInP-InP \& GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications. 2edn. (Taylor and Francis, CRC Press, 2010) p. 773
W.L. Holstein. J. Cryst. Growth, 167, 525 (1996)
В.И. Васильев, Г.С. Гагис, Р.В. Левин, А.Е. Маричев, Б.В. Пушный, М.П. Щеглов, В.И. Кучинский, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, А.Н. Горохов, Т.Б. Попова. Письма ЖТФ, 44 (24), 17 (2018). [V.I. Vasil'ev, G.S. Gagis, R.V. Levin, A.E. Marichev, B.V. Pushnyi, M.P. Scheglov, V.I. Kuchinskii, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, A.N. Gorokhov, T.B. Popova. Techn. Phys. Lett., 44 (12), 1127 (2018)]
A.E. Marichev, R.V. Levin, B.V. Pushnyii, G.S. Gagis, V.I. Vasil'ev, M.P. Scheglov, D.Yu. Kazantsev, B.Ya. Ber, T.B. Popova, E.P. Marukhina. J. Phys.: Conf. Ser., 1135, 012076 (2018)
В.И. Васильев, Г.С. Гагис, Р.В. Левин, В.И. Кучинский, А.Г. Дерягин, Д.Ю. Казанцев, Б.Я. Бер. Письма ЖТФ, 43 (19), 78 (2017). [V.I. Vasil'ev, G.S. Gagis, R.V. Levin, V.I. Kuchinskii, A.G. Deryagin, D.Yu. Kazantsev, B.Ya. Ber. Tech. Phys. Lett., 43 (10), 905 (2017)]
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. App. Phys., 89, 5815 (2001)
K. Nakajima, S. Yamazaki, S. Komiya, K. Akita. J. Appl. Phys., 52, 4575 (1981)
A. Mircea, R. Mellet, B. Rose, D. Robein, H. Thibierge, G. Leroux, P. Daste, S. Godefroy, P. Ossart, A.M. Pougnet. J. Electron. Mater., 15 (4), 205 (1986)
J.E. Cunningham, M.B. Santos, K.W. Goossen, M.D. Williams, W. Jan. Appl. Phys. Lett., 64, 2418 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель