"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090240
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-00898
Уаман Светикова Т.А.1, Иконников А.В. 1, Румянцев В.В.2, Козлов Д.В.2, Черничкин В.И.1, Галеева А.В.1, Варавин В.С.3, Михайлов Н.Н.3, Дворецкий С.А.3, Морозов С.В.2, Гавриленко В.И.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: aurelia8002@gmail.com, antikon@physics.msu.ru, rumyantsev@ipmras.ru, dvkoz@ipmras.ru, chernichkin@physics.msu.ru, galeeva@physics.msu.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, more@ipmras.ru, gavr@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

В эпитаксиальных пленках CdHgTe исследованы спектры фотопроводимости при различных температурах методом фурье-спектроскопии. В спектрах обнаружены особенности, связанные как с межзонным поглощением, там и с ионизацией примесно-дефектных состояний. Прослежена их эволюция с изменением температуры. Определены температуры "исчезновения" примесных особенностей, что позволило, используя уравнение электронейтральности, оценить концентрацию акцепторов в исследуемых структурах. Ключевые слова: фотопроводимость, примесь, CdHgTe, фурье-спектроскопия.
  • W. Scott, E.L. Stelzer, R.J. Hager. J. Appl. Phys., 47, 1408 (1976)
  • D.L. Polla, R.L. Aggarwal, J.A. Mroczkowski, J.F. Shanley, M.B. Reine. Appl. Phys. Lett., 40, 338 (1982)
  • D.L. Polla, R.L. Aggarwal, D.A. Nelson, J.F. Shanley, M.B. Reine. Appl. Phys. Lett., 43, 941 (1983)
  • D.L. Polla, R.L. Aggarwal. Appl. Phys. Lett., 44, 775 (1984)
  • V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakyshev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Technol., 32, 095007 (2017)
  • Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, М.С. Жолудев, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, F. Teppe. ЖЭТФ, 154, 1226 (2018)
  • V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Syslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Proc. SPIE 5136, Solid State Crystals (2002): Crystalline Mater. Optoelectron. (2003)
  • M.V. Yakushev, M.V. Yakushev, D.V. Brunev, V.S. Varavin, V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretskii, I.V. Marchshin, A.V. Predein, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.V. Sorochkin. Semiconductors, 45, 385 (2011)
  • В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров Ю.Г. Сидоров. ЖФХ, 84, 1605 (2010)
  • П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1207 (2004)
  • V. Goldman, H. Drew, M. Shayegan D. Nelson. Phys. Rev. Lett., 56, 968 (1986)
  • P. Capper, J. Garland, S. Kasap, A. Willoughby. Mercury Cadmium Telluride-Growth, Properties and Applications (Wiley, Chichester, 2011)
  • J.P. Laurenti, J. Camassel, A. Bouhemadou. J. Appl. Phys., 67, 6454 (1990)
  • M.H. Brodsky, G. Lucovsky. Phys. Rev. Lett., 21, 990 (1968)
  • D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56, 1601 (1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.