Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
Минобрнауки России, Грант Президента для молодых кандидатов наук, конкурс 2019 года, МК-3450.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов 2018 года фундаментальных научных исследований, 18-02-00565
Охапкин А.И.1, Юнин П.А.1, Дроздов М.Н.1, Королев С.А.1, Краев С.А.1, Архипова Е.А.1, Скороходов Е.В.1, Бушуйкин П.А.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: andy-ohapkin@yandex.ru, yunin@ipmras.ru, drm@ipm.sci-nnov.ru, PESH@ipm.sci-nnov.ru, kraev@ipmras.ru, suroveginaka@ipmras.ru, evgeny@ipmras.ru, bushuikinp@ipm.sci-nnov.ru, sha@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Проведено плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок (DLC-пленок) на монокристаллический сильно легированный бором (концентрация ~ 1020 см-3) алмаз p-типа проводимости в плазме CH4 + Ar. Скорость осаждения составила 7 нм/мин. Детально исследованы элементный состав и свойства полученных пленок. Пленки оказались обогащенными водородом, имели плотность 2.4 г/см3 и ультрагладкую поверхность (шероховатость 0.4 ± 0.2 нм). Ключевые слова: алмазоподобный углерод, плазмохимическое осаждение, монокристаллический алмаз.
- S. Imanishi, K. Horikawa, N. Oi, S. Okubo, T. Kageura, A. Hiraiwa, H. Kawarada. IEEE Electron Dev. Lett., 40 (2), 279 (2019)
- X. Yu, J. Zhou, C. Qi, Z. Cao, Y. Kong, T. Chen. IEEE Electron Dev. Lett., 39 (9), 1373 (2018)
- N.C. Saha, M. Kasu. Diamond Relat. Mater., 91, 219 (2019)
- C.J. Zhou, J.J. Wang, J.C. Guo, C.Yu, Z.Z. He, Q.B. Liu, X.D. Gao, S.J. Cai, Z.H. Feng. Appl. Phys. Lett., 114, 063501 (2019)
- TT. Pham, J. Pernot, G. Perez, D. Eon, E. Gheeraert, N. Rouger. IEEE Electron Dev. Lett., 38 (11), 1571 (2017)
- W. Wang, K. Fu, C. Hu, F.N. Li, Z.C. Liu, S.Y. Li, F. Lin, J. Fu, J. Wang, H.X. Wang. Diamond Relat. Mater., 69, 237 (2016)
- Z.Y. Ren, J.F. Zhang, J.C. Zhang, C.F. Zhang, S.R. Xu, Y. Li, Y. Hao. IEEE Electron Dev. Lett., 38 (6), 786 (2017)
- J. Robertson. Adv. Phys., 35 (4), 317 (1986)
- R. Bandorf, H. Luthje, T. Staedler. Diamond Relat. Mater., 13 (4-8), 1491 (2004)
- K.M. Tan, W.W. Fang, M. Yang, T.Y. Liow, R.T.-P. Lee, N. Balasubramanian, Y.C. Yeo. IEEE Electron Dev. Lett., 29 (7), 750 (2008)
- J. Kim, C. Lee. J. Korean Phys. Soc., 42, 956 (2013)
- R.G. Toro, P. Calandra, B. Cortese, T. de Caro, M. Brucale, A. Mezzi, F. Federici, D. Caschera. Surf. Interfaces, 6, 60 (2017)
- W. Oleszkiewicz, W. Kijaszeka, J. Gryglewicza, A. Zakrzewski, K. Gajewskic, D. Kopiecc, P. Kamyczekd, E. Popkod, M. Tlaczalaa. Electron Technology Conf. (2013, Ryn, Poland) [Proc. SPIE, 8902, 89022H (2013)]
- W. Oleszkiewicz, J. Markowski, R. Srnanek, W. Kijaszek, J. Gryglewicz, J. Kovac, M. Tlaczalaa. Optica Applicata, 43 (1), 109 (2013)
- J. Zhou, I.T. Martin, A. Reed, E. Adams, D. Liu, E. Fisher. Plasma Sources Sci. Technol., 15, 714 (2006)
- A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler. Phys. Status Solidi RRL, 10 (4), 324 (2016)
- Е.А. Суровегина, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, М.А. Лобаев, А.М. Горбачев, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, А.Б. Мучников, В.В. Чернов, Д.Б. Радищев, Д.Е. Батлер. ФТП, 50 (12), 1595 (2016)
- A. Galbiati, S. Lynn, K. Oliver, F. Schirru, T. Nowak, B. Marczewska, J.A. Duenas, R. Berjillos, I. Martel, L. Lavergne. IEEE Trans. Nucl. Sci., 56 (4), 1863 (2009)
- R. Kalisha, Y. Lifshitz, K. Nugent, S. Prawer. Appl. Phys. Lett., 74 (20), 2936 (1999)
- A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 64, 075414 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.