Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090021 
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: dalamber.07@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены гибридные GaP/Si-подложки, позволяющие выращивать высокоэффективные светоизлучающие гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами. Несмотря на относительно высокую концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaP/Si, гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на гибридных GaP/Si подложках, не уступают в эффективности и температурной стабильности люминесценции аналогичным гетероструктурам, выращенным на согласованных GaP-подложках. Ключевые слова: гибридные подложки, фотолюминесценция, GaP на Si, молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовые ямы.
- M. Asghari, A.V. Krishnamoorth. Nature Photonics, 5, 268 (2011)
- A. Rickman. Nature Photonics, 8, 579 (2014)
- T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato. Appl. Phys. Lett., 97, 023108 (2010)
- P. Castrillo, G. Armelles, J.P. Silveira, F. Briones, J. Barbolla. Appl. Phys. Lett., 71, 1353 (1997)
- Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178, 459 (2008)
- М.А. Путято, Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский. ФТП, 43, 1275 (2009)
- T.J. Grassman, M.R. Brenner, S. Rajagopalan, R. Unocic, R. Dehoff, M. Mills, H. Fraser, S.A. Ringel. Appl. Phys. Lett., 94, 232106 (2009)
- K. Yamane, T. Kawai, Y. Furukawa, H. Okada, A. Wakahara. J. Cryst. Growth, 312, 2179 (2010)
- A.T. Vink, A.J. Bosman, J.A. van der Does de Bye, R.C. Peters. Sol. St. Commun., 7, 1475 (1969)
- Е.Ф. Гросс, Д.С. Недзвецкий. ДАН СССР, 152, 309 (1963)
- Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.В. Васев, М.Ю. Есин, И.Д. Лошкарев, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев. Автометрия, 54 (2), 85 (2018)
- Y. Okada, Y. Tokumaru. J. Appl. Phys., 56, 314 (1984)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Т.С. Шамирзаев. ФТП, 52, 1373 (2018)
- D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev. J. Appl. Phys., 123, 115701 (2018)
- F.A. Ponce, D.P. Bour. Nature, 386, 351 (1997)
- T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev, F. Trojanek, B. Dzurnvak, P. Maly. Nanotechnology, 21, 155703 (2010)
- D.S. Abramkin, M.A. Putyato, S.A. Budennyy, A.K. Gutakovskii, B.R. Semyagin, V.V. Preobrazhenskii, O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev. J. Appl. Phys., 112, 083713 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
