"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности транспорта носителей заряда в структурах n+-n0-n+ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060241
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А. 1, Соболева О.С. 1, Юферев В.С.1, Головин В.С.1, Гаврина П.С.1, Романович Д.Н.1, Мирошников И.В.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 января 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик изотипных гетероструктур n+-GaAs/n0 -GaAs/N0-AlGaAs/N+-AlGaAs/n+-GaAs и гомоструктур n+-GaAs/n0-GaAs/n+-GaAs. Показано, что в гетероструктуре при обратной полярности, обеспечивающей инжекцию электронов из n0-GaAs в N0-AlGaAs, максимальное рабочее напряжение достигает 48 В при толщине N0-AlGaAs слоя 1.0 мкм, а вольт-амперная характеристика гетероструктуры не имеет области отрицательного дифференциального сопротивления. Работа гомоструктуры сопровождалась переходом в область отрицательного дифференциального сопротивления при напряжении 10 В. Теоретический анализ, проведенный с использованием модели энергетического баланса, показал, что в изотипной гетероструктуре при обратной полярности область отрицательного дифференциального сопротивления отсутствует, так как в данном случае не происходит "схлопывания" домена поля, как это происходит в гомоструктурах.
  1. A. Caruso, P. Spirito, G. Vitale. IEEE Trans. Electron Dev., 21 (9), 578 (1974)
  2. J. Kostamovaara, S. Vainshtein. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices (World Scientific, 2005) v. 36
  3. Н.И. Подольская, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 43 (11), 55 (2017)
  4. В.И. Брылевский, И.А. Смирнова, Н.И. Подольская, Ю.А. Жарова, П.Б. Родин И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 44 (4), 66 (2018)
  5. J.B. Gunn. Sol. St. Commun., 1 (4), 88 (1963)
  6. S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. J. Appl. Phys., 97 (2), 024502 (2005)
  7. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 119 (12), 124513 (2016)
  8. W. Gao, X. Wang, R. Chen, D.B. Eason, G. Strasser, J.P. Bird, J. Kono. ACS Photon., 2 (8), 1155 (2015)
  9. R. Chen, W. Gao, X. Wang, G.R. Aizin, J. Mikalopas, T. Arikawa, K. Tanaka, D.B. Eason, G. Strasser, J. Kono, J.P. Bird. IEEE Trans. Nanotechnol., 14 (3), 524 (2015)
  10. X. Wang, P. Crump, H. Wenzel, A. Liero, T. Hoffmann, A. Pietrzak, C.M. Schultz, A. Klehr, A. Ginolas, S. Einfeldt, F. Bugge, G. Erbert, G. Trankle. IEEE J. Quant. Electron., 46 (5), 658 (2010)
  11. D.A. Veselov, V.A. Kapitonov, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, I.S. Tarasov. Quant. Electron., 44 (11), 993 (2014)
  12. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 121 (5), 054502 (2017)
  13. M. Feng, J. Qiu, N. Holonyak. IEEE J. Quant. Electron., 54 (2), 1 (2018)
  14. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97 (12), 123103 (2005)
  15. J.B. Gunn. Proc. Plasma Effects Solids, (Academic Press, N. Y., 1965) p. 199
  16. S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Wien, N.Y., Springer Verlag, 1984) (10.1007/978-3-7091-8752-4)
  17. T. Grasser, T.W. Tang, H. Kosina, S. Selberherr. Proc. IEEE, 91 (2), 251 (2003)
  18. Y. Apanovich, E. Lyumkis, B. Polsky, A. Shur, P. Blakey. IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 13 (6), 702 (1994)
  19. V. Palankovski, S. Vainshtein, V. Yuferev, J. Kostamovaara, V. Egorkin. Appl. Phys. Lett., 106 (18), 183505 (2015)
  20. H. Hjelmgren, T.W. Tang. Solid State Electron., 37 (9), 1649 (1994)
  21. B. Gonzalez, V. Palankovski, H. Kosina, A. Hernandez, S. Selberherr. Solid State Electron., 43 (9), 1791 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.