"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности транспорта носителей заряда в структурах n+-n0-n+ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060241
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А. 1, Соболева О.С. 1, Юферев В.С.1, Головин В.С.1, Гаврина П.С.1, Романович Д.Н.1, Мирошников И.В.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 января 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик изотипных гетероструктур n+-GaAs/n0 -GaAs/N0-AlGaAs/N+-AlGaAs/n+-GaAs и гомоструктур n+-GaAs/n0-GaAs/n+-GaAs. Показано, что в гетероструктуре при обратной полярности, обеспечивающей инжекцию электронов из n0-GaAs в N0-AlGaAs, максимальное рабочее напряжение достигает 48 В при толщине N0-AlGaAs слоя 1.0 мкм, а вольт-амперная характеристика гетероструктуры не имеет области отрицательного дифференциального сопротивления. Работа гомоструктуры сопровождалась переходом в область отрицательного дифференциального сопротивления при напряжении 10 В. Теоретический анализ, проведенный с использованием модели энергетического баланса, показал, что в изотипной гетероструктуре при обратной полярности область отрицательного дифференциального сопротивления отсутствует, так как в данном случае не происходит "схлопывания" домена поля, как это происходит в гомоструктурах.
  • A. Caruso, P. Spirito, G. Vitale. IEEE Trans. Electron Dev., 21 (9), 578 (1974)
  • J. Kostamovaara, S. Vainshtein. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices (World Scientific, 2005) v. 36
  • Н.И. Подольская, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 43 (11), 55 (2017)
  • В.И. Брылевский, И.А. Смирнова, Н.И. Подольская, Ю.А. Жарова, П.Б. Родин И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 44 (4), 66 (2018)
  • J.B. Gunn. Sol. St. Commun., 1 (4), 88 (1963)
  • S.N. Vainshtein, V.S. Yuferev, J.T. Kostamovaara. J. Appl. Phys., 97 (2), 024502 (2005)
  • S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 119 (12), 124513 (2016)
  • W. Gao, X. Wang, R. Chen, D.B. Eason, G. Strasser, J.P. Bird, J. Kono. ACS Photon., 2 (8), 1155 (2015)
  • R. Chen, W. Gao, X. Wang, G.R. Aizin, J. Mikalopas, T. Arikawa, K. Tanaka, D.B. Eason, G. Strasser, J. Kono, J.P. Bird. IEEE Trans. Nanotechnol., 14 (3), 524 (2015)
  • X. Wang, P. Crump, H. Wenzel, A. Liero, T. Hoffmann, A. Pietrzak, C.M. Schultz, A. Klehr, A. Ginolas, S. Einfeldt, F. Bugge, G. Erbert, G. Trankle. IEEE J. Quant. Electron., 46 (5), 658 (2010)
  • D.A. Veselov, V.A. Kapitonov, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, I.S. Tarasov. Quant. Electron., 44 (11), 993 (2014)
  • S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 121 (5), 054502 (2017)
  • M. Feng, J. Qiu, N. Holonyak. IEEE J. Quant. Electron., 54 (2), 1 (2018)
  • B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97 (12), 123103 (2005)
  • J.B. Gunn. Proc. Plasma Effects Solids, (Academic Press, N. Y., 1965) p. 199
  • S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Wien, N.Y., Springer Verlag, 1984) (10.1007/978-3-7091-8752-4)
  • T. Grasser, T.W. Tang, H. Kosina, S. Selberherr. Proc. IEEE, 91 (2), 251 (2003)
  • Y. Apanovich, E. Lyumkis, B. Polsky, A. Shur, P. Blakey. IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 13 (6), 702 (1994)
  • V. Palankovski, S. Vainshtein, V. Yuferev, J. Kostamovaara, V. Egorkin. Appl. Phys. Lett., 106 (18), 183505 (2015)
  • H. Hjelmgren, T.W. Tang. Solid State Electron., 37 (9), 1649 (1994)
  • B. Gonzalez, V. Palankovski, H. Kosina, A. Hernandez, S. Selberherr. Solid State Electron., 43 (9), 1791 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.