"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Толстые слои alpha-Ga2O3 на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060150
Министерство образования и науки России, 16/4959/2017/6/
Министерство образования и науки России, 16.3788.2017.4.6
Печников А.И.1, Степанов С.И. 2,1, Чикиряка А.В.1, Щеглов М.П.1, Одноблюдов М.А.3, Николаев В.И.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: chikiryaka@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

В статье сообщается об эпитаксиальном росте и исследовании слоев нового широкозонного полупроводника alpha-Ga2O3. Слои были выращены хлоридной эпитаксией на сапфировых подложках базисной ориентации. Толщины слоев исследованных образцов составляли от 0.5 мкм до рекордных на сегодня более 10 мкм. Изучены структурные и оптические свойства полученных образцов. Показано, что все образцы в структурном отношении однородны, однофазны и имеют структуру корунда R3c, как и у сапфира, используемого в качестве подложки. Было показано, что полуширина кривых качания для рефлекса (0006) alpha-Ga2O3 изменяется с ростом толщины слоя и для наиболее толстых слоев составила 240 угл. сек. Как тонкие, так и толстые слои были прозрачны как в видимом, так и УФ-диапазоне, вплоть до края зоны оптического поглощения при 5.2 эВ.
  1. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44 (1), 63 (2016)
  2. Y. Oshima, E.G. Vi llora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, K. Shimamura. J. Appl. Phys., 118, 085301 (2015)
  3. Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. Appl. Phys. Express, 8, 055501 (2015)
  4. K. Akaiwa, K. Kaneko, K. Ichino, S. Fujita. J. Appl. Phys., 55, 1202BA (2016)
  5. M. Oda, R. Tokuda, H. Kambara, T. Tanikawa, T. Sasaki, T. Hitora. Appl. Phys. Express, 9, 021101 (2016)
  6. D. Shinohara, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 7311 (2008)
  7. Y. Yao, S. Okur, L.A.M. Lyle, G.S. Tompa, T. Salagaj, N. Sbrockey, R.F. Davis, L.M. Porter. Mater. Res. Lett., 6 (5), 268 (2018)
  8. R. Schewski, G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova, Z. Galazka, T. Schulz, T. Remmele, T. Markurt, H. Wenckstern, M. Grundmann. Appl. Phys., Express, 8, 011101 (2015)
  9. T. Uchida, K. Kaneko, S. Fujita. MRS Advances, 3 (3), 177 (2018)
  10. D. Tamba, O. Kubo, M. Oda, S. Osaka, K. Takahashi, H. Tabata, K. Kaneko, S. Fujita, M. Katayama. Appl. Phys. Lett., 108, 251602 (2016)
  11. K. Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 51, 020201 (2012)
  12. Z. Cheng, M. Hanke, P. Vogt, O. Bierwagen, A. Trampert. Appl. Phys. Lett., 111, 162104 (2017)
  13. Z. Chen, K. Nishihagi, X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. Guo. Appl. Phys. Lett., 109, 102106 (2016)
  14. В.И. Николаев, А.И. Печников, С.И. Степанов, Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, А.Н. Смирнов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, П.Н. Брунков, Д.А. Кириленко. ФТП 50 (7), 997 (2016)
  15. M. Marezio, J.P. Remeika. J. Chem. Phys., 46, 1862 (1967)
  16. M. Oda, R. Tokuda, H. Kambara, T. Tanikawa, T. Sasaki, T. Hitora. Appl. Phys. Express, 9 (2), 021101 (2016)
  17. R. Fornari, M. Pavesi, V. Montedoro, D. Klimm, F. Mezzadri, I. Cora, B. Pecz, F. Boschi, A. Parisini, A. Baraldi, C. Ferrari, E. Gombia, M. Bosi. Acta Materialia, 140, 411 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.