"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi0.45Sb1.55Te2.985 с микрочастицами SiO2
Переводная версия: 10.1134/S1063782619060186
Шабалдин А.А.1, Константинов П.П.1, Курдюков Д.А.1, Лукьянова Л.Н.1, Самунин А.Ю.1, Стовпяга Е.Ю.1, Бурков А.Т.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: berrior@rambler.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Нанокомпозитные термоэлектрики на основе Bi0.45Sb1.55Te2.985 p-типа проводимости получены методом горячего прессования нанопорошков этого соединения с добавлением микрочастиц SiO2. Исследования термоэлектрических свойств показали, что термоэдс нанокомпозитов возрастает в широком интервале температур 80-420 K, а теплопроводность значительно снижается при температурах 80-320 K, что, несмотря на снижение проводимости, приводит к повышению термоэлектрической эффективности в наноструктурированном материале без добавления SiO2 почти на 50% (при 300 K). При добавлении SiO2 эффективность снижается. При температурах выше 350 K наиболее эффективным является исходный термоэлектрик, полученный без наноструктурирования, в котором максимальная термоэлектрическая эффективность ZTmax=1 при 390 K.
  • Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano, ed. by D.M. Rowe (CRC Press, Boca Raton, 2006)
  • T. Tritt, M. Annu. Rev. Mater. Res., 41, 433 (2011)
  • G.S. Nolas, J. Sharp, H.J. Goldsmid. Thermoelectrics: Basic Principles and New Materials Developments (Springer, N.Y., 2001)
  • Modules, Systems, and Applications in Thermoelectrics, ed. by D.M. Rowe (CRC Press, Boca Raton, 2012)
  • B. Kamran. Fundamentals of Thermoelectricity (Oxford, University, 2015) p. 256
  • L. Fu, C.L. Kane. Phys. Rev. B, 76, 045302 (2007)
  • M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys., 82 (4), 3045 (2010)
  • D.X. Qu, Y.S. Hor, J. Xiong, R.J. Cava, N.P. Ong. Science, 329 (5993), 821 (2010)
  • A. Taskin, Z. Ren, S. Sasaki, K. Segawa, Y. Ando. Phys. Rev. Lett., 107, 016801 (2011)
  • R. Takahashi, S. Murakami. Semicond. Sci. Technol., 27 (12), 124005 (2012)
  • S.K. Mishra, S. Satpathy, O. Jepsen. J. Phys. Condens. Matter, 9, 461 (1997)
  • Yu.V. Ivanov, A.T. Burkov, D.A. Pshenay-Severin. Phys. Status Solidi B, 255, 1800020 (2018)
  • B. Madavali, H.S. Kim, K.H. Lee, S.J. Hong. J. Appl. Phys., 121 (22), 225104 (2017)
  • E.B. Kim, P. Dharmaiah, D.W. Shin, K.H. Lee, S.J. Hong. J. Alloys Compd., 703, 614 (2017)
  • B. Madavali, H.S. Kim, K.H. Lee, S.J. Hong. Intermetallics, 82, 68 (2017)
  • C. Li, X.Y. Qin, Y. Li, D. Li, J. Zhang, H. Guo, H. Xin, C. Song. J. Alloys Compd., 661 (6), 389 (2016)
  • Y.Y. Li, X.Y. Qin, D. Li, J. Zhang, C. Li, Y.F. Liu, C.J. Song, H.X. Xin, H.F. Guo. Appl. Phys. Lett., 108, 062104 (2016)
  • T. Zhang, Q.S. Zhang, J. Jiang, Z. Xiong, J.M. Chen, Y.L. Zhang, W. Li, G.J. Xu. Appl. Phys. Lett., 98 (2), 022104 (2011)
  • Е.Ю. Трофимова, А.Е. Алексенский, С.А. Грудинкин, И.В. Коркин, Д.А. Курдюков, В.Г. Голубев. Коллоидный журн., 73 (4), 535 (2011)
  • M.V. Vedernikov, P.P. Konstantinov, A.T. Burkov. Proc. VIII Intern. Conf. Thermoelectric Energy Conversion (Nancy, France, 1989) p. 45
  • A.T. Burkov, A. Heinrich, P.P. Konstantinov, T. Nakama, K. Yagasaki. Meas. Sci. Technol., 12, 264 (2001)
  • А.В. Петров. В кн.: Термоэлектрические свойства полупроводников (М., АН СССР, 1963) c. 27
  • M.H. Cohen, J. Jortner. Phys. Rev. Lett., 30, 696 (1973)
  • D.S. McLachlan, M. Blaszkiewicz, R.E. Newnham. J. Am. Ceram. Soc., 73, 2187 (1990)
  • T.-H. Liu, J. Zhou, M. Li, Z. Ding, Q. Song, B. Liao, L. Fu, G. Chen. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 115, 879 (2018)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.