Впервые теоретически изучены эффекты саморазогрева оптоэлектронных коммутаторов на основе вертикальных высоковольтных структур с p-n-переходами (Vertical Photoactivated Semiconductor Switch - VPSS) при работе в высокочастотном режиме. Показано, что сильная зависимость коэффициента поглощения kappa(T) управляющего излучения от температуры T является основным фактором, определяющим максимальную частоту коммутации f_max и соответствующую максимальную температуру кристалла T_max, а также распределения температуры T и плотности тока j по площади VPSS. Двумерный анализ простейшей электротепловой модели VPSS, встроенного в двойную коаксиальную формирующую линию, показал, что увеличение частоты коммутации f приводит к вытеснению тока на периферию прибора, где температура минимальна. Однако при частоте f<f_max и T<T_max распределения T и j по площади прибора остаются устойчивыми. Разумеется, величины f_max и T_max зависят от энергии управляющих импульсов излучения, импульсной коммутируемой мощности и условий теплоотвода. Для VPSS на основе непрямозонных полупроводников (Si,SiC) они изменяются в пределах 20-120 кГц и 120-160^oC, вполне достаточных для практического применения. Однако VPSS на основе прямозонных полупроводников (GaAs, InP) фактически не пригодны для работы в высокочастотных режимах из-за слишком резкой зависимости kappa(T).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.