Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рост твердых растворов InAs_xSb_1-x на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2019.04.47451.8981

Переводная версия: 10.1134/S1063782619040092

РФФИ, 16-32-60087

РФФИ, 18-32-00125

Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-749.2016.1

Госзадание ФАНО, 0306-2016-0011

Госзадание ФАНО, 0306-2018-0011

Емельянов Е.А. ¹, Васев А.В. ¹, Семягин Б.Р. ¹, Есин М.Ю. ¹, Лошкарев И.Д.¹, Василенко А.П.¹, Путято М.А.¹, Петрушков М.О.¹, Преображенский В.В. ¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: e2a@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, yesinm@isp.nsc.ru , pvv@isp.nsc.ru

Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние степени отклонения подложки от сингулярной грани на состав и морфологию слоев при молекулярно-лучевой эпитаксии твердых растворов InAs_xSb_1-x на поверхности GaAs. В качестве подложек использованы пластины GaAs с ориентацией (100), отклоненные в направлении [110] на 0, 1, 2 и 5^o. Рост гетероструктур выполнен для температур 310 и 380^oС. Изучено влияние молекулярной формы мышьяка (As₂ либо As₄) на состав слоев. Исследования состава и структурных свойств осуществлены методами рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения и атомно-силовой микроскопии. Установлено, что в ряду отклонений 0 5^o доля мышьяка x последовательно увеличивается как при использовании потока молекул As₂, так и As₄. При использовании потока молекул As₂ доля x с увеличением степени отклонения возрастает незначительно (в 1.05 раза), а при использовании молекул As₄ наблюдается ее возрастание в 1.75 раза. Повышение температуры роста приводит к увеличению доли мышьяка в твердом растворе. Морфология поверхности улучшается при увеличении степени отклонения при низкой температуре роста и ухудшается при высокой.

E.A. Emel'yanov, A.V. Vasev, B.R. Semyagin, A.P. Vasilenko, A.A. Komanov, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii. J. Phys.: Conf. Ser., 643, 012006 (2015)
A. Rogalski. Progr. Quant. Electron., 13, 191 (1989)
C.G. Bethea, M.Y. Yen, B.F. Levine, K.K. Choi, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 51, 1431 (1987)
W. Dobbelaere, J. De Boeck, P. Heremans, R. Mertens, G. Borghs, W. Luyten, J. Van Landuyt. Appl. Phys. Lett., 60, 3256 (1992)
C. Besikci, S. Ozer, C. Van Hoof, L. Zimmermann, J. John, P. Merken. Semicond. Sci. Techn., 16, 992 (2001)
Y.Z. Gao, X.Y. Gong, W.Z. Fang, G.H. Wu, Y.B. Feng. Jpn. J. Appl. Phys., 48, 080202 (2009)
H. Gao, W. Wang, Z. Jiang, L. Liu, J. Zhou, H. Chen. J. Cryst. Growth, 308, 406 (2007)
Y.M. Lin, C.H. Chen, J.S. Wu, C.P. Lee. J. Cryst. Growth, 402, 151 (2014)
I. Yonenaga, K. Sumino. J. Cryst. Growth, 126, 19 (1993)
C. Lavoie, T. Pinnington, E. Nodwell, T. Tiedje, R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, J.L. Hutter. Appl. Phys. Lett., 67, 3744 (1995)
H. Suzuki, T. Sasaki, A. Sai, Y. Ohshita, I. Kamiya, M. Yamaguchi, M. Takahasi, S. Fujikawa. Appl. Phys. Lett., 97, 041906 (2010)
S. Lohr, S. Mendach, T. Vonau, C. Heyn, W. Hansen. Phys. Rev. B, 67, 045309 (2003)
I. Tangring, S. Wang, M. Sadeghi, A. Larsson. Electron. Lett., 42 (12), 691 (2006)
Y. Sun, K. Li, J. Dong, X. Zeng, S. Yu, Y. Zhao, C. Zhao, H. Yang. J. Alloys Comp., 597, 45 (2014)
P. Werner, N.D. Zakharov, Y. Chen, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, J.F. Klem, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett., 62, 2798 (1993)
S.Z. Yu, J.R. Dong, Y.R. Sun, K.L. Li, X.L. Zeng, Y.M. Zhao, H. Yang. Chin. Phys. B, 25 (3), 038101 (2016)
Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский. Автометрия, 47 (5), 43 (2011)
K. Mochizuki, T. Nishinaga. Jpn. J. Appl. Phys., 27, 1585 (1988)
T. Nishinaga, T. Shitara, K. Mochizuki, K.I. Cho. J. Cryst. Growth, 99, 482 (1990)
A.N. Semenov, V.S. Sorokin, V.A. Solovyev, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov. Semiconductors, 38, 266 (2004)
V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201, 170 (1999)
V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201, 166 (1999)
В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
J.R. Waterman, B.V. Shanabrook, R.J. Wagner. J. Vac. Sci. Techn. B, 10, 895 (1992)
А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.А. Селезнев, В.В. Преображенский. Изв. вузов. Сер. физ., 9, 5 (2008)
P.F. Fewster. X-ray scattering from semiconductorsl. 2nd edn (London, Imperial College Press, 2001
H. Nagai. J. Appl. Phys., 45, 3789 (1974)
А.В. Колесников, А.С. Ильин, Е.М. Труханов, А.П. Василенко, И.Д. Лошкарев, А.С. Дерябин. Изв. РАН. Сер. физ., 75 (5), 652 (2011)
И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.А. Путято, М.Ю. Есин, М.О. Петрушков. Письма ЖТФ, 43 (4), 64 (2017)
E. Selvig, B. Fimland, T. Skauli, R. Haakenaasen. J. Cryst. Growth, 227-228, 562 (2001)
M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, A. Brown, T. Brown, G. May. J. Appl. Phys., 100, 013531 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель