Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040250 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 6 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
Исследованы профили концентрации дефектов, образовавшихся в структурах после имплантации ионов азота в эпитаксиальные слои GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями и последующего отжига. Энергии ионов и дозы имплантации выбирались таким образом, чтобы концентрационные профили атомов азота совпадали в структурах обоих типов. В исследуемых образцах измерялись спектры обратного резерфордовского рассеяния протонов в случайном и каналирующих режимах и рассчитывались профили концентрации образовавшихся точечных дефектов. Установлено, что имплантация ионов азота вводит примерно одинаковое количество точечных дефектов в оба типа структур, а формирование пленки AlN с помощью ионно-плазменного распыления сопровождается образованием дополнительного количества дефектов. Однако после отжига структур обоих типов концентрация остающихся дефектов примерно одинакова.
- M. Weyers, M. Sato, H. Ando. Jpn. J. Appl. Phys., pt 2, 31, L853 (1992)
- A. Ougazzaden, Y.Le Bellego, E.V.K. Rao, M. Juhel, L. Leprince, G. Patriarche. Appl. Phys. Lett., 70, 2861 (1997)
- M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, T. Mozume. Jpn. J. Appl. Phys., pt 2, 33, L1056 (1994)
- K. Uesugi, N. Morooka. Appl. Phys. Lett., 74, 1254 (1999)
- А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, М.В. Устинов, E.R. Weber. ЖТФ, 71 (10), 59 (2001)
- А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong, C. Tu. ФТП, 36 (9), 1056 (2002)
- K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, J.W. Beeman, J.W. Ager III, E.E. Haller, W. Shan, H.P. Xin, C.W. Tu, C. Ridgway. J. Appl. Phys., 90, 2227 (2001)
- X. Weng, S.J. Clarke, W. Ye, S. Kumar, R.S. Goldmana, A. Daniel, R. Clarke, J. Holt, J. Sipowska, A. Francis, V. Rotberg. J. Appl. Phys., 92, 4012 (2002)
- V.M. Mikoushkin. Appl. Surf. Sci., 257 (11), 4941 (2011)
- Kun Gao, S. Prucnal, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou. Appl. Phys. Lett., 105, 012107 (2014)
- Н.А. Соболев, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, А.Е. Калядин, К.В. Карабешкин, В.М. Микушкин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, Е.В. Шерстнев, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 44 (13), 44 (2018)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, К.В. Карабешкин, Р.Н. Кютт, В.М. Микушкин, Е.И. Шек, Е.В. Шерстнев, В.И. Вдовин. Письма ЖТФ, 44 (18), 24 (2018)
- Н.А. Берт, А.Д. Бондарев, В.В. Золотарев, Д.А. Кириленко, Я.В. Лубянский, А.В. Лютецкий, С.О. Слипченко, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, К.Р. Аюшева, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 49, 1429 (2015)
- J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids (Pergamon Press, N.Y., 1985)
- L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.T. Picraux. Material Analysis by Ion Channeling (Academic Press, N.Y., 1982) chap. 5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
