Вышедшие номера
Открытие полупроводников AIIIBV: физические свойства и применение (О б з о р)
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030126
Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Настоящий обзор работ посвящен открытию, разработке технологии и исследованию полупроводников AIIIBV, проводимых в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе (ФТИ, Физтех), где в 1950 г. были сделаны первые шаги в получении полупроводников AIIIBV и начальные исследования их фундаментальных свойств под руководством двух крупных ученых - Нины Александровны Горюновой и Дмитрия Николаевича Наследова. Дальнейшее развитие этих работ нашло отражение в трудах последователей и учеников Д.Н. Наследова, работавших и продолжающих работать в подразделениях ФТИ. Будет рассмотрен вклад этих исследований в изучение гетероструктур на основе соединений AIIIBV, а также в разработку полупроводниковых приборов для электроники, оптоэлектроники и фотоники.