"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020076
Фролов Д.С.1, Яковлев Г.Е. 1, Зубков В.И. 1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: frolovds@gmail.com, geyakovlev@etu.ru, vzubkovspb@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Рассмотрены особенности применения метода электрохимического вольт-фарадного профилирования для исследования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси. Приведены критерии и даны рекомендации выбора оптимальных параметров измерения, обоснована необходимость увеличения частоты, при которой измеряется емкость в процессе профилирования. Описанная методика рассмотрена на примере профилирования кремниевых структур p-типа с ионной имплантацией, а также n-GaAs эпитаксиальных и подложечных структур для pHEMT приборов.
  1. T. Ambridge, M.M. Faktor. Electron. Lett., 10 (10), 204 (1974)
  2. C.D. Sharpe, P. Lilley, C.R. Elliott, T. Ambridge. Electron. Lett., 15 (20), 622 (1979)
  3. M. Pawlik, R.D. Groves, R.A. Kubiak, W.Y. Leong, E.H.C. Parcker. Emerg. Semicond. Technol. ASTM STP 960 [ed. by D.C. Gupta, P.H. Larger, 558 (1987)]
  4. F. Kiefer, J. Krugener, F. Heinemeyer, H.J. Osten, R. Brendel, R. Peibst. IEEE J. Photovolt., 6 (5), 1175 (2016)
  5. P. Rothhardt, S. Meier, R. Hoenig, A. Wolf, D. Biro. Solar Energy Mater. and Solar Cells, 153, 25 (2016)
  6. B. Sermage, Z. Essa, N. Taleb, M. Quillec, J. Aubin, J.M. Hartmann, M. Veillerot. J. Appl. Phys., 119 (15), 155703 (2016)
  7. Д.Е. Миронов, М.Р. Айнбунд, В.И. Зубков. Тр. XXV Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., Россия, 2018) т. 1, с. 129
  8. N. Sieber, H.E. Wulf, D. Roser, P. Kurps. Phys. Status Solidi, A, 126 (2), K123 (1991)
  9. E. Peiner, A. Schlachetzki. J. Electrochem. Soc., 139 (2), 552 (1992)
  10. M. Ernst, D. Walter, A. Fell, B. Lim, K. Weber. IEEE J. Photovolt., 6 (3), 624 (2016)
  11. H. Zhu, M. Wang, B. Zhang, H. Wu, Y. Sun, G. Hu, N. Dai. Jpn. J. Appl. Phys., 55 (4), 045504 (2016)
  12. Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, А.В. Зубкова, В.И. Зубков, А.В. Соломонов, О.К. Стерлядкин, С.А. Сорокин. ФТП, 50 (3), 324 (2016)
  13. Г.Е. Яковлев, М.В. Дорохин, В.И. Зубков, А.Л. Дудин, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин. ФТП, 52 (8), 873 (2018)
  14. D.S. Frolov, V.I. Zubkov. Semicond. Sci. Technol., 31, 125013 (2016)
  15. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. Section B: Beam Interactions with Mater. and Atoms, 268 (11), 1818 (2010)
  16. S.W. Novak, C.W. Magee, H.C. Mogul, A.J. Steckl, M. Pawlik. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (1), 333 (1992)
  17. X. Lu, L. Shao, J. Jin, Q. Li, I. Rusakova, Q.Y. Chen, J. Liu, W.K. Chu, P. Ling. MRS Proceedings, 610, 451 (2000)
  18. A. Gharbi, B. Remaki, A. Halimaoui, D. Bensahel, A.Souifi. J. Appl. Phys., 109(2), 023715 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.