"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности МДП-структур с фторидом самария на кремниевых и германиевых подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020210
Шалимова М.Б.1, Сачук Н.В.1
1Самарский национально-исследовательский университет, Самара, Россия
Email: shamb@ssau.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Электрофизические характеристики кремниевых и германиевых МДП-структур с диэлектрической пленкой SmF3, а также их деградация в результате воздействия электрических полей хотя и подобны, но имеют ряд особенностей. Механизм токопрохождения во всех исследованных структурах описывается степенной зависимостью. Интерфейсные ловушки создают заряд электрически активных ловушек, который изменяется при вольт-емкостных измерениях, и заряд неактивных ловушек, который остается неизменным. На поверхности n-Ge этот заряд отрицательный, на поверхности кремния n- и p-типа соответствующий заряд положительный. Плотность заряда ловушек в объеме фторида самария лежала в интервале от -0.2·10-8 до 0.6·10-8 K/см2 и в большинстве случаев была пренебрежимо мала по сравнению с зарядом интерфейсных ловушек.
  • S.N.A. Murad, P.T. Baine, D.W. McNeill, S.J.N. Mitchell, B.M. Armstrong, M. Modreanu, G. Hughes, R.K. Chellappan. Solid-State Electron., 78, 136 (2012)
  • K. Seo, R. Sreenivasan, P.C. McIntyre, K.C. Saraswat. IEEE Electron Dev. Lett., 27, 821 (2006)
  • R. Xie, M. Yu, M.Y. Lai, L. Chan, C. Zhu. Appl. Phys. Lett., 92, 163505 (2008)
  • Y. Mitani, H. Satake, Y. Nakasaki, A. Toriumi. IEEE Trans. Electron Dev., 50, 2211 (2003)
  • L.K. Chu, R.L. Chu, T.D. Lin, W.C. Lee, C.A. Lin, M.L. Huang, Y.J. Lee, J. Kwo, M. Hong. Solid-State Electron., 54, 965 (2010)
  • C.X. Li, C.D. Wanga, C.H. Leung, P.T. Lai, J.P. Xu. Microelectron. Eng., 86, 1596 (2009)
  • S. Rathyamoorthy, S.A.K. Narayandass, B. Calasubramanian, D. Mangalaraj. Phys. Status Solidi A, 117, 495 (1990)
  • K.M. Kim, D.S. Jeong, C.S. Hwang. Nanotechnology, 22, 254002 (2011)
  • J.-C. Wanga, Y.-R. Yea, C.-S. Lai, C.-T. Lina, H.-C. Lub, C.-I. Wuc, .-S. Wang. Appl. Surf. Sci., 276, 497 (2013)
  • М.Б. Шалимова, Н.В. Сачук. ФТП, 49, 1071 (2015)
  • C.G. Van de Walle, M. Choi, J.R. Weber, J.L. Lyons, A. Janotti. Microelectron. Eng., 109, 211 (2013)
  • P. Tsipas, A. Dimoulas. Appl. Phys. Lett., 94, 012114 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.