"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности МДП-структур с фторидом самария на кремниевых и германиевых подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020210
Шалимова М.Б.1, Сачук Н.В.1
1Самарский национально-исследовательский университет, Самара, Россия
Email: shamb@ssau.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Электрофизические характеристики кремниевых и германиевых МДП-структур с диэлектрической пленкой SmF3, а также их деградация в результате воздействия электрических полей хотя и подобны, но имеют ряд особенностей. Механизм токопрохождения во всех исследованных структурах описывается степенной зависимостью. Интерфейсные ловушки создают заряд электрически активных ловушек, который изменяется при вольт-емкостных измерениях, и заряд неактивных ловушек, который остается неизменным. На поверхности n-Ge этот заряд отрицательный, на поверхности кремния n- и p-типа соответствующий заряд положительный. Плотность заряда ловушек в объеме фторида самария лежала в интервале от -0.2·10-8 до 0.6·10-8 K/см2 и в большинстве случаев была пренебрежимо мала по сравнению с зарядом интерфейсных ловушек.
  1. S.N.A. Murad, P.T. Baine, D.W. McNeill, S.J.N. Mitchell, B.M. Armstrong, M. Modreanu, G. Hughes, R.K. Chellappan. Solid-State Electron., 78, 136 (2012)
  2. K. Seo, R. Sreenivasan, P.C. McIntyre, K.C. Saraswat. IEEE Electron Dev. Lett., 27, 821 (2006)
  3. R. Xie, M. Yu, M.Y. Lai, L. Chan, C. Zhu. Appl. Phys. Lett., 92, 163505 (2008)
  4. Y. Mitani, H. Satake, Y. Nakasaki, A. Toriumi. IEEE Trans. Electron Dev., 50, 2211 (2003)
  5. L.K. Chu, R.L. Chu, T.D. Lin, W.C. Lee, C.A. Lin, M.L. Huang, Y.J. Lee, J. Kwo, M. Hong. Solid-State Electron., 54, 965 (2010)
  6. C.X. Li, C.D. Wanga, C.H. Leung, P.T. Lai, J.P. Xu. Microelectron. Eng., 86, 1596 (2009)
  7. S. Rathyamoorthy, S.A.K. Narayandass, B. Calasubramanian, D. Mangalaraj. Phys. Status Solidi A, 117, 495 (1990)
  8. K.M. Kim, D.S. Jeong, C.S. Hwang. Nanotechnology, 22, 254002 (2011)
  9. J.-C. Wanga, Y.-R. Yea, C.-S. Lai, C.-T. Lina, H.-C. Lub, C.-I. Wuc, .-S. Wang. Appl. Surf. Sci., 276, 497 (2013)
  10. М.Б. Шалимова, Н.В. Сачук. ФТП, 49, 1071 (2015)
  11. C.G. Van de Walle, M. Choi, J.R. Weber, J.L. Lyons, A. Janotti. Microelectron. Eng., 109, 211 (2013)
  12. P. Tsipas, A. Dimoulas. Appl. Phys. Lett., 94, 012114 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.