"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020039
Блошкин А.А.1,2, Якимов А.И.1, Двуреченский А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: bloshkin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 1 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Методом конечных элементов исследовано пространственное распределение электрического поля в фотоприемных гетероструктурах Ge/Si, сопряженных с регулярными золотыми решетками субволновых отверстий на поверхности Si. Период решетки составлял 1.2 мкм, диаметр отверстий 0.7 мкм. Определена эффективность усиления поля в таких гетероструктурах при различной толщине активной области, занятой квантовыми точками. Показано, что в случае падения электромагнитной волны со стороны кремниевой подложки фактор усиления поля в ~3.5 раза больше, чем при облучении фотоприемника со стороны воздушной границы. Установлено, что в первом случае коэффициент усиления поля немонотонно меняется с изменением толщины активной области.
  1. F.D.P. Alves, J. Amorim, M. Byloos, H.C. Liu, A. Bezinger, M. Buchanan, N. Hanson, G. Karunasiri. J. Appl. Phys., 103, 114515 (2008)
  2. B. Xing, H.C. Liu, P.H. Wilson, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, J.G. Simmons. J. Appl. Phys., 76, 1889 (1994)
  3. D.C. Wang, G. Bosman, Y.H. Wang, S.S. Li. J. Appl. Phys., 77, 1107 (1995)
  4. A. Yakimov, V. Timofeev, A. Bloshkin, A. Nikiforov, A. Dvurechenskii. Nanoscale Res. Lett., 7 (1), 494 (2012)
  5. A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, A.A. Bloshkin, V.A. Armbrister, P.A. Kuchinskaya, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 106, 032104 (2015)
  6. A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, V.A. Armbrister, A.A. Bloshkin, A.V. Dvurechenskii. Phys. Rev. B, 90, 035430 (2014)
  7. A.I. Yakimov, V.A. Timofeev, A.A. Bloshkin, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii. J. Appl. Phys., 112, 034511 (2012)
  8. N. Rappaport, E. Finkman, T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, N. Yam, V. Le Thanh, D. Bouchier. Appl. Phys. Lett., 77, 3224 (2000)
  9. A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, V.A. Armbrister, A.A. Bloshkin, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 112, 171107 (2018)
  10. P. Vasinajindakaw, J. Vaillancourt, G. Gu, R. Liu, Y. Ling, X. Lu. Appl. Phys. Lett., 98, 1 (2011)
  11. S.C. Lee, S. Krishna, S.R.J. Brueck. Appl. Phys. Lett., 97, 10 (2010)
  12. A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, A.A. Bloshkin, V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, J.-M. Hartmann. Opt. Express, 25, 25602 (2017)
  13. H.F. Ghaemi, T. Thio, D. Grupp, T.W. Ebbesen, H.J. Lezec. Phys. Rev. B, 58, 6779 (1998)
  14. M.A. Ordal, R.J. Bell, R.W. Alexander, L.L. Long, M.R. Querry. Appl. Optics, 26, 744 (1987)
  15. H.H. Li. J. Phys. Chem. Ref. Data 9, 561 (1980)
  16. D. Chandler-Horowitz, P.M. Amirtharaj. J. Appl. Phys., 97, 123526 (2005)
  17. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 100, 10 (2012)
  18. W.L. Barnes. J. Opt. Pure Appl. Optics, 8, S87 (2006)
  19. G. Gu, J. Vaillancourt, P. Vasinajindakaw, X. Lu. Semicond. Sci. Technol., 28, 105005 (2013)
  20. G. Gu, N. Mojaverian, J. Vaillancourt, X. Lu. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 435106 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.