"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020039
Блошкин А.А.1,2, Якимов А.И.1, Двуреченский А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: bloshkin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 1 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Методом конечных элементов исследовано пространственное распределение электрического поля в фотоприемных гетероструктурах Ge/Si, сопряженных с регулярными золотыми решетками субволновых отверстий на поверхности Si. Период решетки составлял 1.2 мкм, диаметр отверстий 0.7 мкм. Определена эффективность усиления поля в таких гетероструктурах при различной толщине активной области, занятой квантовыми точками. Показано, что в случае падения электромагнитной волны со стороны кремниевой подложки фактор усиления поля в ~3.5 раза больше, чем при облучении фотоприемника со стороны воздушной границы. Установлено, что в первом случае коэффициент усиления поля немонотонно меняется с изменением толщины активной области.
  • F.D.P. Alves, J. Amorim, M. Byloos, H.C. Liu, A. Bezinger, M. Buchanan, N. Hanson, G. Karunasiri. J. Appl. Phys., 103, 114515 (2008)
  • B. Xing, H.C. Liu, P.H. Wilson, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, J.G. Simmons. J. Appl. Phys., 76, 1889 (1994)
  • D.C. Wang, G. Bosman, Y.H. Wang, S.S. Li. J. Appl. Phys., 77, 1107 (1995)
  • A. Yakimov, V. Timofeev, A. Bloshkin, A. Nikiforov, A. Dvurechenskii. Nanoscale Res. Lett., 7 (1), 494 (2012)
  • A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, A.A. Bloshkin, V.A. Armbrister, P.A. Kuchinskaya, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 106, 032104 (2015)
  • A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, V.A. Armbrister, A.A. Bloshkin, A.V. Dvurechenskii. Phys. Rev. B, 90, 035430 (2014)
  • A.I. Yakimov, V.A. Timofeev, A.A. Bloshkin, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii. J. Appl. Phys., 112, 034511 (2012)
  • N. Rappaport, E. Finkman, T. Brunhes, P. Boucaud, S. Sauvage, N. Yam, V. Le Thanh, D. Bouchier. Appl. Phys. Lett., 77, 3224 (2000)
  • A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, V.A. Armbrister, A.A. Bloshkin, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 112, 171107 (2018)
  • P. Vasinajindakaw, J. Vaillancourt, G. Gu, R. Liu, Y. Ling, X. Lu. Appl. Phys. Lett., 98, 1 (2011)
  • S.C. Lee, S. Krishna, S.R.J. Brueck. Appl. Phys. Lett., 97, 10 (2010)
  • A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, A.A. Bloshkin, V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, J.-M. Hartmann. Opt. Express, 25, 25602 (2017)
  • H.F. Ghaemi, T. Thio, D. Grupp, T.W. Ebbesen, H.J. Lezec. Phys. Rev. B, 58, 6779 (1998)
  • M.A. Ordal, R.J. Bell, R.W. Alexander, L.L. Long, M.R. Querry. Appl. Optics, 26, 744 (1987)
  • H.H. Li. J. Phys. Chem. Ref. Data 9, 561 (1980)
  • D. Chandler-Horowitz, P.M. Amirtharaj. J. Appl. Phys., 97, 123526 (2005)
  • A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 100, 10 (2012)
  • W.L. Barnes. J. Opt. Pure Appl. Optics, 8, S87 (2006)
  • G. Gu, J. Vaillancourt, P. Vasinajindakaw, X. Lu. Semicond. Sci. Technol., 28, 105005 (2013)
  • G. Gu, N. Mojaverian, J. Vaillancourt, X. Lu. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 435106 (2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.