"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020143
Кукушкин С.А.1,2,3, Мизеров А.М.4, Гращенко А.С.1, Осипов А.В.1,2, Никитина Е.В.4, Тимошнев С.Н.4, Буравлев А.Д.4, Соболев М.С.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 21 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Приведены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств гетероструктур GaN/SiC/Si(111) и GaN/Si(111), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота при одинаковых условиях роста на одинаковых подложках кремния, но с различными буферными слоями. Структура GaN/SiC/Si(111) была выращена на подложке Si с буферным слоем SiC, выращенным новым методом замещения атомов, структура GaN/Si(111) на подложке Si, подвергнутой предэпитаксиальной плазменной нитридизации. Обнаружено существенное влияние углеродно-вакансионных кластеров, присутствующих в слое SiC, на механизм роста слоя GaN, его оптические и фотоэлектрические свойства. Экспериментально установлено, что гетероструктура GaN/SiC/Si(111) обладает более высокой фоточувствительностью по сравнению с гетероструктурой GaN/Si(111). В гетероструктуре GaN/SiC/Si(111) экспериментально обнаружено существование двух, противоположно направленных p-n-переходов. Один p-n-переход образуется на границе SiC/Si, а второй --- на границе GaN/SiC. Показано, что причиной возникновения электрического барьера в гетероструктуре GaN/Si(111), на гетерогранице GaN/Si(111) является формирование тонкого переходного слоя нитрида кремния во время предэпитаксиальной плазменной нитридизации подложки Si(111).
  1. D. Ehrentraut, E. Meissner, M. Bockowski. Technology of Gallium Nitride Crystal Growth (Springer, Heidelberg, 2010)
  2. Р. Куэй. Электроника на основе нитрида галлия, пер. с англ. д.т.н. Ю.А. Концевого, к.т.н. Е.А. Митрофанова под редакцией д.ф.-м.н. А.Г. Васильева (M., Texносфера, 2011)
  3. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.N. Bessolov, B.K. Medvedev, V.K. Nevolon, K.A. Tcarik. Rev. Adv. Mater. Sci., 17, 1 (2008)
  4. A. Severino, C. Locke, R. Anzalone, M. Camarda, N. Piluso, A. La Magna, S.E. Saddow, G. Abbondanza, G. D'Arrigo, F. La Via. ECS Transactions, 35, 99 (2011)
  5. Gabriel Ferro. Critical Rev. Solid State and Mater. Sci., 40, 56 (2015)
  6. Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ, 57, 153 (2105)
  7. Р.З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе, Ч.-К. Щуе, К.-Х. Ву, Т. Сакурай. УФН 174, 383 (2004)
  8. A. Gkanatsiou, Ch.B. Lioutas, N. Frangis, E.K. Polychroniadis, P. Prystawko, M. Leszczynsk. Superlat. Microstr., 103, 376 (2017)
  9. J. Falta, Th. Schmidt, S. Gangopadhyay, T. Clausen, O. Brunke, J.I. Flege, S. Heun, S. Bernstorff, L. Gregoratti, M. Kiskinova. EPL, 94, 16003 (2011)
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 50, 1188 (2008)
  11. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН, 444, 266 (2012)
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Изв. РАН. МТТ, 2, 122 (2013)
  13. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
  14. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014)
  15. М.Е. Компан, И.Г. Аксянов, И.В. Кулькова, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 51, 2326 (2009)
  16. Ю.Э. Китаев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 59, 30 (2017)
  17. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма ЖТФ, 43, 81 (2017)
  18. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 60 (9), 1841 (2018)
  19. А.А. Лебедев, С.Ю. Давыдов. ФТП, 39, 296 (2005)
  20. S.А. Kukushkin, G.V. Benemanskaya, P.A. Dementev, S.N. Timoshnev, B. Senkovskiy. J. Phys. Chem. Solids, 90, 40 (2016)
  21. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 46, 241 (2004)
  22. С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов. ФТТ, 43, 2135 (2001)
  23. С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов. ФТТ, 44, 1337 (2002)
  24. G. Koblmueller, R. Averbeck, L. Geelhaar, H. Riechert, W. Hosler, P. Pongratz. J. Appl. Phys., 93, 9591 (2003)
  25. A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Eltrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  26. O. Brandt, H. Yang, K.H. Ploog. Phys. Rev. B, 54, 4432 (1996)
  27. А.С. Гращенко, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, Е.В. Калинина, С.А. Кукушкин. ФТП, 51, 651 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.