Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние электрического режима и γ-облучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO₂ в МОП-транзисторе

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46998.8900

Переводная версия: 10.1134/S1063782619010123

Куликов Н.А.¹, Попов В.Д.¹

¹Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия National Research Nuclear University MEPhI, Moscow, Russia

National Research Nuclear University MEPhI, Moscow, Russia

Email: wdpopov@mail.ru

Поступила в редакцию: 26 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты экспериментального исследования процесса образования поверхностных дефектов при воздействии гамма-излучения с мощностью дозы P=0.1 рад(Si)/с на МОП-транзисторы с n-каналом в пассивном и активном режимах. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования. Предлагается качественная модель, объясняющая влияние напряжения на стоке транзистора на процесс дефектообразования.

А.С. Березин, О.Р. Мочалкина. Технология и конструирование интегральных микросхем (М., Радио и связь, 1992) гл. 6, с. 84
P.S. Winokur, M.R. Schaneyfelt, T.L. Meisenheimer, D.M. Fleetwood. IEEE Trans. Nucl. Sci., 41 (3), 538 (1994)
Г.И. Зебрев, С.С. Ломакин. ПТЭ, 43, 92 (2000)
В.Д. Попов. ФТП, 50 (3), 354 (2016)
V.D. Popov. J. Mater. Sci. Res., 6 (2), 16 (2017)
F.W. Sexton, J.R. Schwank. IEEE Trans. Nucl. Sci., 32 (6), 3975 (1985)
S.N. Rashkeev, C.R. Cirba, D.M. Fleedwood, R.D. Schrimpf, S.C. Witczak, A. Michez, S.T. Pantelides. Trans. Nucl. Sci., 49 (6), 2650 (2002)
S.N. Rashkeev, D.M. Fleedwood, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides. Trans. Nucl. Sci., 48 (6), 2650 (2001)
N.S. Saks, R.B. Klein, D.L. Griscom. Trans. Nucl. Sci., 35 (6), 1234 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель