Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения
Переводная версия: 10.1134/S106378261901010X 
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 15-07-04626 а
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 15-02-09389 а
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 13-02-90448 Укр-ф-а
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия 
Email: gran@iptm.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
Теоретически и экспериментально показана возможность нерезонансного обращения волнового фронта света в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках GaN при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено индуцированное обращение волнового фронта света в видимой и инфракрасной областях спектра. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта света от энергии фотона и интенсивности лазерной накачки. Предлагается объяснение эффекта: поглощение и преломление света на индуцированных лазером свободных носителях в полупроводниковой среде.
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1998 (1991)
- S.J. Xu, G. Li, S.J. Chue. Appl. Phys. Lett., 72, 2451 (1998)
- E.R. Glaser, T.A. Kennedy, K. Doverspike. Phys. Rev. B, 51, 13326 (1995)
- M.H. Huang, S. Mao, H. Feiick, H. Yan, Y. Wu, H. King, E. Waber. Science, 292, 1897 (2001)
- J.W. Tomm, B. Ullich, X.G. Qui, Y. Segava, A. Ohtomo, V. Kawasaki. J. Appl. Phys., 87, 1844 (2000)
- P. Zu, Z.K. Tang, G.K. Wong, M. Kawasfki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Y. Segawa. Sol. St. Commun., 103, 459 (1997)
- X.H. Yang, T.J. Schmidt, W. Shan, J.J. Song. Appl. Phys. Lett., 66, 1 (1995)
- А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков. ФТП, 38 (5), 543 (2004)
- А.Н. Редькин, В.И. Таций, З.И. Маковей, А.Н. Грузинцев, Е.Е. Якимов. Неорг. матер., 40 (10), 1197 (2004)
- Ф. Качмарек. Введение в физику лазеров (М., Мир, 1981) с. 256
- А.Н. Грузинцев, А.Н. Редькин, К. Бартхоу. ФТП, 39 (10), 1200 (2005)
- D.G. Thomas. J. Phys. Chem. Solids, 9, 31 (1958)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975) гл. 8, с. 500
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
