"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120047
Министерство образования и науки Российской Федерации , Госзадание, 16.2483.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а_дк, 16-32-60147
Алексеев П.А.1, Дунаевский М.С.1, Михайлов А.О.1, Лебедев С.П.2, Лебедев А.А.1, Илькив И.В.3, Хребтов А.И.2, Буравлев А.Д.1,3,4, Цырлин Г.Э.2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: npoxep@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

by 0.6pt Исследовались электрофизические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на поверхности (0001) 6H-SiC-подложки, покрытой моно- и бислоями графена. Нитевидные нанокристаллы были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Исследование электрофизических свойств производилось путем измерения и анализа вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных нанокристаллов, вертикально растущих на подложке. Численное моделирование измеренных вольт-амперных характеристк выявило наличие шоттки-барьера высотой ~0.6 В между нитевидными нанокристаллами и графеном. Возникновение барьера связано с формированием избыточного мышьяка на интерфейсе нитевидный нанокристалл/графен.
  • P. Krogstrup, H.I. J rgensen, M. Heiss, O. Demichel, J.V. Holm, M. Aagesen, J. Nygard, A.F. i Morral. Nature Photonics, 7, 306 (2013)
  • L. Tsakalakos, J. Balch, J. Fronheiser, B. Korevaar, O. Sulima, J. Rand. Appl. Phys. Lett., 91, 233117 (2007)
  • H. Zhang, X. Dai, N. Guan, A. Messanvi, V. Neplokh, V. Piazza, M. Vallo, C. Bougerol, F.H. Julien, A. Babichev, N. Cavassilas. ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 26198 (2016)
  • A. Babichev, H. Zhang, P. Lavenus, F. Julien, A.Y. Egorov, Y. Lin, L. Tu, M. Tchernycheva. Appl. Phys. Lett., 103, 201103 (2013)
  • Y. Wu, X. Yan, X. Zhang, X. Ren. Appl. Phys. Lett., 109, 183101 (2016)
  • J.M. Lee, J.W. Choung, J. Yi, D.H. Lee, M. Samal, D.K. Yi, C.-H. Lee, G.-C. Yi, U. Paik, J.A. Rogers, W.I. Park. Nano Lett., 10, 2783 (2010)
  • K.V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G.L. Kellogg, L. Ley, J.L. McChesney, T. Ohta, S.A. Reshanov, J. Rohrl, E. Rotenberg. Nature Materials, 8, 203 (2009)
  • V.Y. Davydov, D.Y. Usachov, S. Lebedev, A. Smirnov, V. Levitskii, I. Eliseyev, P. Alekseev, M. Dunaevskiy, O.Y. Vilkov, A. Rybkin, A.A. Lebedev. Semiconductors, 51, 1072 (2017)
  • A.M. Munshi, D.L. Dheeraj, V.T. Fauske, D.-C. Kim, A.T. van Helvoort, B.-O. Fimland, H. Weman. Nano Lett., 12, 4570 (2012)
  • J.-H. Kang, Y. Ronen, Y. Cohen, D. Convertino, A. Rossi, C. Coletti, S. Heun, L. Sorba, P. Kacman, H. Shtrikman. Semicond. Sci. Technol., 31, 115005 (2016)
  • M. Heilmann, A.M. Munshi, G. Sarau, M. Gobelt, C. Tessarek, V.T. Fauske, A.T. van Helvoort, J. Yang, M. Latzel, B. Hoffmann, G. Coniberr. Nano Lett., 16, 3524 (2016)
  • V. Panchal, R. Pearce, R. Yakimova, A. Tzalenchuk, O. Kazakova. Sci. Rep., 3, 2597 (2013)
  • V. Trukhin, A. Buyskikh, N. Kaliteevskaya, A. Bourauleuv, L. Samoilov, Y.B. Samsonenko, G. Cirlin, M. Kaliteevski, A. Gallant. Appl. Phys. Lett., 103, 072108 (2013)
  • G. Cirlin, I. Shtrom, R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A. Khrebtov, A. Bouravleuv, I. Soshnikov. Semiconductors, 50, 1421 (2016)
  • V. Kumaresan, L. Largeau, A. Madouri, F. Glas, H. Zhang, F. Oehler, A. Cavanna, A. Babichev, L. Travers, N. Gogneau, M. Tchernycheva. Nano Lett., 16, 4895 (2016)
  • S. Fernandez-Garrido, M. Ramsteiner, G. Gao, L.A. Galves, B. Sharma, P. Corfdir, G. Calabrese, Z. de Souza Schiaber, C. Pfuller, A. Trampert, J.M.J. Lopes. Nano Lett., 17, 5213 (2017)
  • P. Alekseev, P. Geydt, M. Dunaevskiy, E. Lahderanta, T. Haggren, J.-P. Kakko, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett., 111, 132104 (2017)
  • S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, 2006)
  • P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, V.P. Ulin, T.V. Lvova, D.O. Filatov, A.V. Nezhdanov, A.I. Mashin, V.L. Berkovits. Nano Lett., 15, 63 (2015)
  • P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.N. Smirnov, D.A. Kirilenko, V.Yu. Davydov, V.L. Berkovits. Nanotechnology, 29, 314003 (2018)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.