"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120205
Самарцев И.В.1, Некоркин С.М.1, Звонков Б.Н.1, Алешкин В.Я.2, Дубинов А.А.2, Пашенькин И.Ю.1,2, Дикарева Н.В.1, Чигинева А.Б.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: woterbox@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Приводятся результаты исследований обратных темновых токов фотодиодов на длину волны 1.06 мкм, выращенных на подложках GaAs с помощью метаморфного буферного слоя InGaP. Разработана технология выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии метаморфных буферных слоев InGaP со ступенчатым изменением состава. Изготовлены фотодиоды с диаметром фоточувствительной площадки 1 мм и входом излучения через подложку. Темновой ток фотодиодов при комнатной температуре и обратном смещении -3 В составил 50 нА. Предполагается, что объемная составляющая темнового тока обусловлена механизмом туннелирования через уровни ловушек.
  • Л.М. Канская, А.Ю. Куликов. Письма ЖТФ, 21 (5), 21 (1995)
  • Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева. Сб. трудов конф. НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова (2014) p. 102
  • С.М. Планкина, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, Н.Ю. Коннова, А.В. Нежданов, И.Ю. Пашенькин. ФТП, 11 (50), 1561 (2016)
  • И.А. Андреев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Ильинская, А.А. Пивоварова, Г.Г. Коновалов, Е.В. Kуницына, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 12 (49), 1720 (2015)
  • http://www.dilas.ru/
  • А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, М.В. Якушев. ФТП, 4 (46) 551 (2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.