"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120205
Самарцев И.В.1, Некоркин С.М.1, Звонков Б.Н.1, Алешкин В.Я.2, Дубинов А.А.2, Пашенькин И.Ю.1,2, Дикарева Н.В.1, Чигинева А.Б.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: woterbox@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Приводятся результаты исследований обратных темновых токов фотодиодов на длину волны 1.06 мкм, выращенных на подложках GaAs с помощью метаморфного буферного слоя InGaP. Разработана технология выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии метаморфных буферных слоев InGaP со ступенчатым изменением состава. Изготовлены фотодиоды с диаметром фоточувствительной площадки 1 мм и входом излучения через подложку. Темновой ток фотодиодов при комнатной температуре и обратном смещении -3 В составил 50 нА. Предполагается, что объемная составляющая темнового тока обусловлена механизмом туннелирования через уровни ловушек.
  1. Л.М. Канская, А.Ю. Куликов. Письма ЖТФ, 21 (5), 21 (1995)
  2. Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, М.В. Карзанова, Н.В. Дикарева. Сб. трудов конф. НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова (2014) p. 102
  3. С.М. Планкина, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, Н.Ю. Коннова, А.В. Нежданов, И.Ю. Пашенькин. ФТП, 11 (50), 1561 (2016)
  4. И.А. Андреев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Ильинская, А.А. Пивоварова, Г.Г. Коновалов, Е.В. Kуницына, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 12 (49), 1720 (2015)
  5. http://www.dilas.ru/
  6. А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, М.В. Якушев. ФТП, 4 (46) 551 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.