"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки Si
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120242
Министерство науки и высшего образования России , Уникальный идентификатор проекта , RFMEFI58717X0042
Тихов С.В.1, Горшков О.Н.1, Антонов И.Н.1, Тетельбаум Д.И. 1, Михайлов А.Н. 1, Белов А.И.1, Морозов А.И.1, Karakolis P.2,3, Dimitrakis P.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Institute of Nanoscience and Nanotechnology, NCSR Demokritos", Agia Paraskevi, Greece
3Department of Physics, University of Patras, GR Patras, Greece
Email: tikhov@phys.unn.ru, gorshkov@nifti.unn.ru, ivant@nifti.unn.ru, tetelbaum@phys.unn.ru, mian@nifti.unn.ru, belov@nifti.unn.ru, morozov.alex.7@yandex.ru, p.karakolis@inn.demokritos.gr, p.dimitrakis@inn.demokritos.gr
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Изучено влияние материала металлических обкладок (Au, Ta, W) и освещения мощным синим лазером на характеристики мемристивных МДП конденсаторов с пленкой Si3N4 толщиной 6 нм, полученных на основе n+-Si. Показано, что биполярное переключение током проявляется только в конденсаторах с Au. Объяснены причины отсутствия биполярного переключения в конденсаторах с Ta и W. Обнаружено переключение конденсаторов с Та током и освещением и обнаружен эффект фотопамяти. Показано, что, несмотря на высокую степень легирования подложки полупроводника, она уменьшает быстродействие МДП мемристоров из-за высокой плотности поверхностных состояний, локализованных на границе Si3N4/n+-Si. Однако освещение позволяет значительно увеличивать быстродействие за счет уменьшения сопротивления полупроводника. Определены значения плотности поверхностных состояний. Для улучшения частотных характеристик МДП мемристоров необходимо получать низкую плотность поверхностных состояний.
  • R. Waser, М. Aono. Nature Mater., 6, 833 (2007)
  • M.A. Zidan, J.P. Strachan, W.D. Lu. Nature Electronics, 1, 22 (2018)
  • С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина. Письма ЖТФ, 40 (19), 18 (2014)
  • С.В. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин. Письма ЖТФ, 10, 78 (2016)
  • А. Mehonic, T. Gerard, A.J. Kenyon. Appl. Phys. Lett., 111, 233502 (2017)
  • Xiaofan Jiang, Zhongyuan Ma, Huafeng Yang, Jie Yu, Wen Wang, Wenping Zhang. J. Appl. Phys., 116, 123705 (2014)
  • Sungjun Kim, Min-Hwi Kim. IEEE Trans. Electron. Dev., E99C (5), 547 (2016)
  • Sungjun Kim, Seongjae Cho, Kyung-Chang Ryoo, Byung-Gook Park. J. Vac. Sci. Technol., 33 (6), 062201 (2015)
  • Sungjun Kim, Sunghun Jung, Min-Hwi Kim, Seongjae Cho, Byung-Gook Park. Solid-State Electron., 114, 94 (2015)
  • А.Е. Бердников, В.Н. Гусев, А.А. Мироненко. ФТП, 47 (5), 626 (2013)
  • S.V. Tikhov, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, V.V. Karzanov, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, P. Karakolis, P. Dimitrakis. Microelectron. Eng., 187, 134 (2018)
  • П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
  • H.R. Philipp, H. Ehrenreich. J. Appl. Phys., 136, 14 (1964)
  • A.В. Шапошников, И.П. Петров, В.А. Гриценко, С.W. Kim. ФТТ, 49 (9), 1554 (2007)
  • К.А. Насыров, В.А. Гриценко. УФН, 183 (10), 1099 (2013)
  • В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, Сиб. отд-ние, 1984)
  • В.А. Гриценко. УФН, 182, 531 (2012)
  • Р.V. Gray, D.M. Brown. Appl. Phys. Lett., 8 (2), 31 (1966)
  • М.Н. Коряжкина, С.В. Тихов, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, И.Н. Антонов. ФТП, 50, 1639 (2016)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.