Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C2F5Cl
Переводная версия: 10.1134/S1063782618110180 
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Email: andy-ohapkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
Впервые проведено плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме хлорпентафторэтана (C2F5Cl) с учeтом пассивации поверхности продуктами распада реагента. Исследованы элементный состав осаждeнных покрытий, их плотность и морфологические свойства. Установлено, что наиболее гладкий профиль травления реализуется при использовании большого потока фреона и малой eмкостной мощности. В таком режиме анизотропия травления сохраняется на глубине 7 мкм при скорости процесса 230 нм/мин.
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991), с 373 [Пер. с англ.: M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.-London, Plenum Press, 1987)]
- S.F. Wang, M. Han, J.T. Ye, G.W. Xu, L. Luo. Microsyst. Technol., 21 (1), 203 (2015).
- A.R. Giehl, M. Gumbel, M. Kessler, N. Herhammer, G. Hoffmann et al. J. Vac. Sci. Technol. B., 21 (6), 2393 (2003)
- K. Chen, Jian-Jun He, Ming-Yu Li, R. LaPierre. Chin. Phys. Lett., 29 (3), 036105 (2012)
- M.N. Mudholkar, G. Sai Saravanan, K. Mahadeva Bhat, Ch. Sridhar, H.P. Vyas, R. Muralidharan. Proc. 2007 Int. Workshop on the Physics of Semiconductor Devices: IWPSD-2007 (Mumbai, India, 2007) p. 466
- W. HaiLing, G. Xia, S. GuangDi. Sci. Сhina Ser. E, 50 (6), 749 (2007)
- N. Dhindsa, A. Chia, J. Boulanger, I. Khodadad, R. La Pierre, S.S. Saini. Nanotechnology, 25, 305303 (2014)
- I. Seethalakshmi, R. Joshi, N. DasGupta, B.K. Das. 17th Int. Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, IWPSD (Noida, India) [Phys. Semicond. Dev.: Environmental Science and Engineering, 681 (2014)]
- D.S. Rawal, V.R. Agarwal, H.S. Sharma, B.K. Sehgal, R. Gulati, H.P. Vyas. J. Electrochem. Soc., 150 (7), G395 (2003)
- M.J. Frisch et al. Gaussian 03, Revision D.01 (Gaussian Inc., Wallingford CT, 2004)
- Электронный ресурс: http://www.chemcraftprog.com
- Р.А. Кипер. Свойства веществ: Справочник по химии (Хабаровск, 2013) с. 27.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
