Проведены исследования селективного эпитаксиального роста GaN методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений с использованием ионно-лучевого травления. Исследованы частично маскированные эпитаксиальные слои GaN, на поверхности которых в едином технологическом процессе осаждался тонкий слой Si₃N₄, в котором ионным пучком формировались окна различной формы. Изучены режимы селективного эпитаксиального роста, и показано, что для формирования объектов субмикрометрового размера в условиях, когда суммарная площадь окон в маске мала относительно общей площади образца, длительность эпитаксии должна составлять 5-10 с, что ухудшает воспроизводимость параметров эпитаксиального процесса. Также показано, что механизм селективного роста объектов, имеющих субмикрометровые размеры, значительно отличается от такового для планарных слоев и селективно-выращенных слоев с размерами в единицы мкм и более. Исследовано влияние потоков прекурсоров (триметилгаллия и аммиака) на характер селективной эпитаксии. Исследованы возможности изменения топологии маски для реализации модельных объектов применительно к фотонным кристаллам, именно изучено влияние формы и ориентации окон в маске Si₃N₄ на характер селективной эпитаксии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.