Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb₂Te_3-xSe_x

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46461.8869

Переводная версия: 10.1134/S1063782618100159

Немов С.А.^1,2, Андреева В.Д.¹, Улашкевич Ю.В.³, Поволоцкий А.В.⁴, Аллаххах А.А.¹

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Email: nemov_s@mail.ru

Поступила в редакцию: 22 марта 2018 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено комплексное исследование (рентгенофазовое, комбинацион ного рассеяния и ИК отражения) кристаллов p-Sb₂Te_3-xSe_x (0 ≤ x ≤ 0.10), синтезированных методом Чохральского. Рентгенофазовый анализ и спектры комбинационного рассеяния света показали, что все исследованные образцы твердых растворов имеют кристаллическую ромбоэдрическую структуру с параметрами элементарной ячейки, близкими к их значениям в кристаллах Sb₂Te₃. Вместе с тем также наблюдается образование областей с разной степенью замещения атомов Te селеном. Спектры отражения исследованных кристаллов R(nu) имеют характерный минимум вблизи 1000 см^-1, который связывается с плазменными колебаниями дырок. Плазменный минимум закономерно смещается в высокочастотную сторону по мере увеличения концентрации селена. Расчет спектров отражения в рамках модели Друде-Лоренца удовлетворительно описывает экспериментальные спектры, причем в области низких частот необходимо учитывать также вклад оптических колебаний кристаллической решетки. Расчет позволил определить оптические параметры исследованных кристаллов, а также оценить эффективную массу дырок и оптическую проводимость.

Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ (М., Наука, 1972)
G.J. Snyder, E.S. Tobere. Nature Materials, 7, 105 (2008)
Y.L. Chen, J.G. Analytis, J.-H. Chu, Z.K. Liu, S.-K. Mo, X.L. Qi, H.J. Zhang, D.H. Lu, X. Dai, Z. Fang, I.R.Zhang, S.C. Fisher, Z. Hussian, Z.-X. Shen. Science, 178, 5937 (2009)
D. Hsieh, Y. Xa, D. Qian, L. Wray, F. Meier, J.H. Dil, J. Osterwalder, L. Patthey, A.V. Fedorov, H. Lin, A. Bansil, D. Grauer, Y.S. Hor, R.J. Cava, M.Z. Hasan. Phys. Rev. Lett., 103, 146401 (2009)
С.B. Еремеев, Ю.M. Коротеев, Е.B. Чулков. Письма ЖЭТФ, 91, 419 (2010)
G. Leimkuhler, I. Kerkamm, R. Reineke-Koch. J. Electrochem. Soc., 149, 474 (2002)
M. Wuttig, M. Yamada. Nature Materials, 6, 824 (2007)
C. Peng, Z.T. Song, F. Rao, L.C. Wu, M. Zhu, H. Song, B. Liu, X. Zhou, D. Yao, P. Yang, J. Chu. Appl. Phys. Lett., 99 (4), 043105 (2011)
С.А. Немов, Ю.В. Улашкевич, А.А. Аллаххах, М.Б. Джафаров. ФТП, 51, 1034 (2017)
С.А. Немов, Ю.В. Улашкевич, А.В. Поволоцкий, И.И. Хламов. ФТП, 50, 1343 (2016)
С.А. Немов, Ю.В. Улашкевич, А.А. Аллахах. ФТП, 51, 1346 (2017)
S.V. Dordevic, M.S. Wolf, N. Stojilovic, Hechang Lei, C. Petrovic. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 075501 (2013)
С.А. Немов, Г.Л. Тарантасов, В.И. Прошин, М.К. Житинская, Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина. ФТП, 43, 1629 (2009)
DIFFRACplus Evaluation Package Release 2008-EVA V14 (GmbH, Karlsruhe, Germany)
ICDD (The International Centre for Diffraction Data). http://www.icdd.com/
DIFFRACplus TOPAS, Technical Reference. DOC-M88-EXX066, V4.2-01.2009(Bruker AXS GmbH, Karlsruhe, Germany)
ICSD (Inorganic Crystal Structure Database). http://icsd.ill.fr/icsd/index.html
W. Richter, H. Kohler, C.R. Becker. Phys. Status Solidi B, 84, 619 (1977)
G.C. Sosso, S. Caravati, M. Bernasconi. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 095410 (2009)
A. Mendoza-Galvan, E. Garci a-Garci a, Y.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Microelectron. Engin., 51-52, 677 (2000)
K.J. Tiwari, M.-Q. Ren, S.K. Vajandar, T. Osipowicz, A. Subrahmanyam, P. Malar. Solar Energy, 160, 56 (2018)
С.А. Немов, Н.М. Благих, А.А. Аллаххах, Л.Д. Иванова, М.Б. Джафаров, А.Е. Демченко. ФТТ, 58, 2208 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель