"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях n- и p-SiC при торможении протонов
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030132
РНФ , 16-12-10106
Козловский В.В. 1, Васильев А.Э. 1, Карасев П.А. 1, Лебедев А.А. 2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kozlovski@physics.spbstu.ru, electronych@mail.ru, platon.karaseov@spbstu.ru, shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Путем математического моделирования каскада смещения в SiC рассмотрены особенности генерации пар Френкеля при рассеянии протонов с энергией 8 и 15 МэВ. Рассчитаны гистограммы распределения энергий, полученных не только первично выбитыми атомами, но и атомами отдачи, генерируемыми в каскадах смещений. При анализе гистограмм рассмотрены две области энергий. В первой области "малых" энергий преобладает процесс спонтанной рекомбинации генетически родственных пар Френкеля. Атомы отдачи второй области обладают большей энергией, позволяющей покинуть зону спонтанной рекомбинации и диссоциировать на изолированные компоненты. Проведено экспериментальное исследование процесса компенсации слабо легированных образцов n- и p-4H-SiC, выращенных методом газофазовой эпитаксией, при облучении протонами с энергией 8 и15 МэВ. Измерены скорости удаления носителей заряда. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных данных и получены оценки размеров зоны спонтанной рекомбинации. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45616.8741
  • A.A. Lebedev.  Radiation Effects in Silicon Carbide (Material Research Forum LLC, Millersville, PA 17551, USA, v. 6 (2017). ISSN 2471-8890; ISBN 978-1-945291-11-1)
  • G. Lucas, L. Pizzagalli. J. Phys.: Codens. Matter, 19, 086208 (2007)
  • V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, I.N. Goncharuk, V.V. Kozlovski, E.V. Kalinina, D.S. Poloskin, A.V. Sakharov, N.M. Shmidt, A.N. Smirnov, A.S. Usikov. Mater. Sci. Forum, 258- 263, 1143 (1997)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 27, 708 (1993)
  • В.В. Козловский, А.Э. Васильев, А.А. Лебедев. Поверхность, 3, 22 (2015)
  • A.M. Иванов, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, A.A. Лебедев. ФТП, 45, 145 (2011)
  • http://www.srim.org
  • J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon, N.Y., 1985)
  • J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353- 356, 381 (2001)
  • J.W. Steeds, G.A. Evans, S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1923 (2002)
  • H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti. Semicond. Sci. Technol., 21, 724 (2006)
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
  • N. Iwamoto, B.G. Svensson. Point Defects in Silicon Carbide. Chap. 10. In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera, Ch. Jagadish. (Ser. Semiconductors and Semimetals) (Elsevier, 2015) v. 96, p. 369
  • A. Holmes-Siedle, L. Adams. Handbook of radiation effects (Oxford, Oxford University, 1993)
  • V.V. Emtsev, A.M. Ivanov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, G.A. Oganesyan, N.B. Strokan, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012)
  • A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Engin. B, 61- 62, 441 (1999)
  • V.A.J. Van Lint. Mechanisms of Radiation Effects in Electronic Materials (John Wiley \& Sons,1980)
  • V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
  • Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, В.В. Козловский, А.А. Лебедев, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
  • В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42, 243 (2008)
  • А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, В.В. Козловский. ФТП, 34, 897 (2000)
  • M. Rogalla, K. Runge, A. Soldner-Rembold. Nucl. Phys. B., 78, 516 (1999)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, F. Nava, P.G. Fuochi, P. Vanni. Mater. Sci. Forum., 433- 436, 439 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.