Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 2 » Статья стр. 177
<<<>>>
Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs p-i-n-структурах на время релаксации неравновесных носителей
DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45440.8680
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020173
Соболев М.М.1, Солдатенков Ф.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.sobolev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
PDF версия
Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-фарадных характеристик, спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней p+-p0-i-n0-гомоструктур на основе нелегированных бездислокационных слоев GaAs, и гетероструктур InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs с однородными сетками дислокаций несоответствия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Для структуры на основе GaAs в эпитаксиальных p0- и n0-слоях были обнаружены дефекты акцепторного типа с глубокими уровнями, идентифицируемые как HL2 и HL5. В InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs гетероструктурах были выявлены электронные и дырочные глубокие уровни дислокаций, обозначаемые соответственно как ED1 и HD3. Параметры дырочных ловушек: энергии термической активации (Et), сечения захвата (sigman) и концентрации (Nt), определенные из зависимостей Аррениуса, были соответственно Et=845 мэВ, sigmap=1.33·10-12 см2, Nt=3.80·1014 см-3 для InGaAs/GaAs и Et=848 мэВ, sigmap=2.73·10-12 см2, Nt=2.40·1014 см-3 для GaAsSb/GaAs. Были проведены оценки времен релаксации концентраций неравновесных носителей при участии в этом процессе глубоких акцепторных ловушек, связанных с дислокациями. Они оказались равными для InGaAs/GaAs гетероструктур 2·10-10 с, для GaAsSb/GaAs гетероструктур 1.5·10-10 с, для GaAs гомоструктуры 1.6·10-6 с. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45440.8680
  1. Ж.И. Алферов, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 2 (2), 201 (1976)
  2. Ф.Ю. Солдатенков, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков. ФТП, 41 (2), 217 (2007)
  3. В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 43 (8), 1093 (2009)
  4. V.A. Kozlov, F.Yu. Soldatenkov, V.G. Danilchenko, V.I. Korolkov, I.L. Shulpina. Proc. 25th Advanced Semiconductor Manufacturing Conf. (Saratoga Springs, USA, May 19-21, 2014) p. 139
  5. М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков, В.А. Козлов. ФТП, 50 (7), 941 (2016)
  6. М.М. Соболев, П.Р. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р.M. Майсурадзе. ФТП, 25 (6), 1058 (1989)
  7. П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25 (2), 338 (1991)
  8. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13 (22), 666 (1977)
  9. A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13 (7), 191 (1977)
  10. V.A. Kaluchov, S.I. Chikichev. Phys. Status. Solidi, 88 (1), K59 (1985)
  11. A.Z. Li, H.K. Kim, J.C. Jeong, D. Wong, T.E. Schlesinger, A.G. Milnes. J. Appl. Phys. 64 (7), 3497 (1988).
  12. Kohjib Yamada, Kazumi Wada. Inst. Phys. Conf. Ser., 106 (4), 153 (1989)
  13. B.H. Yang, Z.G. Wang, H.J. He, L.Y. Lin. J. Cryst. Growth, 103, 371 (1990)
  14. O. Yastrubchak, T. Wosinski, A. Makosa, T. Figielski, S. Porowski, I. Grzegory, R. Czernecki, P. Perlin. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 27, 201 (2004)
  15. T. Wosinski, A. Makosa, J. Raczynska. Acta Phys. Polon. A, 87 (2), 369 (1995)
  16. В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, С.И. Пономарев, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 45 (4), 524 (2011)
  17. И.Л. Шульпина, В.В. Ратников, В.А. Козлов, Ф.Ю. Солдатенков, В.Е. Войтович. ЖТФ, 84, (10), 149 (2014)
  18. C.O. Thomas, D. Kahng, R.C. Manz. J. Electrochem. Soc., 109, 1055 (1962)
  19. E.S. Yang. J. Appl. Phys., 45 (9), 3801 (1974)
  20. J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED- 14 (2), 63 (1967)
  21. М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, 26 (10), 1760 (1992)
  22. Д.В. Давыдов, А.Л. Закгейм, Ф.М. Снегов, М.М. Соболев, А.Е. Черняков, А.С. Усиков, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 33 (4), 11 (2007)
  23. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) с. 672
  24. Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974) c. 464. [Пер. c англ.: Herbert F. Matare. Defect Electronics in Semiconductors (Wiley-Interscience a Division of John Wiley and Sons Inc., N.Y.-London-Sydney-Toronto, 1971)]
  25. B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25 (9), 1148 (1954)
  26. B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 27 (7), 905 (1956).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme