Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010207 
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
Исследовано влияние степени разориентации подложки GaAs, а также ее обработки на структурные и оптические характеристики гомоэпитаксиальных структур GaAs/GaAs(100), выращенных методом MOCVD. На основе данных комплекса структурных и спектроскопических методов показано, что увеличение степени отклонения подложки от точной ориентации до 4o к [110] приводит к ступенчатому росту пленки GaAs на первоначальном этапе, а дальнейшее увеличение величины разориентации до 10o к [110] приводит к росту числа дефектов в структуре эпитаксиальной пленки. При этом образцы гомоэпитаксиальных структур, выращенные методом MOCVD на подложках GaAs (100) с разориентацией 4o к [110], обладают максимальным выходом фотолюминесценции, превосходящим примерно на 15% аналогичную величину для структур, выращенных на точно ориентированной подложке GaAs(100). Предварительная полировки подложки GaAs (удаление окисного слоя) также приводит к возрастанию эмиссии фотолюминесценции по сравнению с неполированной подложкой того же типа, а для образцов, выращенных на подложках с разориентацией 4o такое увеличение выхода фотолюминесценции составляет величину ~30%. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45329.8565
- S. Moon, K. Kim, Y. Kim, J. Heo, J. Lee. Sci. Rept., 6, 30107 (2016)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 481 (2011)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. J. Phys. B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
- R. Boussaha, H. Fitouri, A. Rebey, B.E. Jani. Appl. Surf. Sci., 291, 40 (2014)
- H. Dong, J. Sun, S. Ma, J. Liang, T. Lu, X. Liu, B. Xu. Nanoscale, 8, 6043 (2016)
- E. Pelucchi, N. Moret, B. Dwir, D.Y. Oberli, A. Rudra, N. Gogneau, A. Kumar, E. Kapon, E. Levy, A. Palevski. J. Appl. Phys., 99, 093515 (2006)
- E.S. Johnson, G.E. Legg. J. Cryst. Growth, 88, 53 (1988)
- H.-S. Kim, Y. Kim, M.-S. Kim, S.-K. Min. J. Cryst. Growth, 92, 507 (1988)
- K. Fujita, T. Yamamoto, T. Takebe, T. Watanabe. Jpn. J. Appl. Phys., 32, L978 (1993)
- D.H. Rich, K. Rammohan, Y. Tang, H.T. Lin. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanometer Struct. Process. Meas. Phenom., 13, 1766 (1995)
- M.M. Lira, J.L. Alvarado, M.L. Li pez, M.A. Vidal. Superf. Vaci o, 32 (2000)
- D.G. Vasil'ev, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, I.V. Kudryashov, V.P. Kochereshko. Phys. Solid State, 40, 787 (1998)
- K. Mochizuki, S. Goto, H. Kakibayashi, C. Kusano. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1046 (1990)
- P.R. Hageman, J. te Nijenhuis, M.J. Anders, L.J. Giling. J. Cryst. Growth, 170, 270 (1997)
- S. Orsila, A. Tukiainen, P. Uusimaa, J. Dekker, T. Leinonen, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 227-228, 249 (2001)
- R.C. Tu, Y.K. SuS. T. Chou. J. Appl. Phys., 84, 6877 (1998)
- P.V. Seredin, V.E. Ternovaya, A.V. Glotov, A.S. Len'shin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, H. Leiste, T. Prutskij. Phys. Solid State, 55, 2161 (2013).
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, A.S. Lenshin, M.S. Smirnov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 719 (2012).
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. J. Phys. B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010)
- W. Hayes, R. Loudon. Scattaring of Light by Crystals (John Wiley \& Sons, N.Y., 1978)
- P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, V.E. Ternovaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij. Phys. Solid State, 55, 2169 (2013)
- A.P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, I.A. Zhurbina. Semiconductors, 44, 184 (2010)
- И.Н. Арсентьев, Е.С. Калевич, С.Г. Конников, В.М. Лантратов, Т.Б. Попова, В.К. Тибилов, В.П. Улин. Автометрия, 74 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
