"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In0.4Ga0.6As, выращенных на подложках GaAs
Надточий А.М.1,2,3, Минтаиров С.А.3, Калюжный Н.А.3, Рувимов С.C.4, Неведомский В.Н.3, Максимов М.В.1,2,3, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2ООО Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

При помощи спектроскопии фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы гибридные квантово-размерные структуры, полученные осаждением слоев In0.4Ga0.6As различной номинальной толщины на вицинальные подложки GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции таких структур представляют собой суперпозицию двух линий, что свидетельствует о бимодальном распределении размеров и (или) формы излучающих объектов. Доминирующая линия связана с излучением гибридных наноструктур квантовая яма-квантовые точки", представляющих собой плотный массив квантовых точек относительно небольшого размера с малой энергией локализации электронов и дырок. Вторая, менее интенсивная, линия связана с излучением массива квантовых точек малой плотности и большего размера. Проведенный анализ относительной интенсивности спектральных линий при различных температурах показывает, что плотность квантовых точек большего размера возрастает при увеличении толщины осажденного слоя InGaAs. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45319.8636
  • А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
  • S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, V.M. Ustinov, M.M. Kulagina, E.V. Nikitina, I.P. Soshnikov, Y.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sizov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Z.I. Alferov. Semiconductors, 36 (11), 1315 (2002)
  • N.V. Kryzhanovskaya, I.S. Mukhin, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, A.M. Nadtochiy, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, M.M. Kulagina, K.A. Vashanova, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.A. Lipovskii, A. Mintairov. Opt. Express, 22 (21), 25782 (2014)
  • A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, J. Weimer, A. Zhukov. Opt. Lett., 32, 793 (2007)
  • S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy. Semiconductors, 43 (4), 514 (2009)
  • N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti., V.M. Andreev, A. Luque. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 24 (9), 1261 (2016)
  • B. Browne, J. Lacey, T. Tibbits, G. Bacchin, T.-C. Wu, J.Q. Liu, X. Chen, V. Rees, J. Tsai, J.-G. Werthen. AIP Conf. Proc., 1556, 3 (2013)
  • L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, ISBN: 978-0-470-48412-8
  • P.R. Griffin, J. Barnes, K.W.J. Barnham, G. Haarpainter, M. Mazzler, C. Zanotti-Fregonara, E. Grunbaum, C. Olson, C. Rohr, J.P.R. David, J.S. Roberts, R. Grey, M.A. Pate. J. Appl. Phys., 80 (10), 5815 (1996)
  • S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26, 385202 (2015)
  • S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. IEEE Electron. Lett., 51 (20), 1602 (2015)
  • A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, S.S. Rouvimov, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 49 (8), 1090 (2015)
  • S. Liang, H.L. Zhu, W. Wang. J. Appl. Phys., 100, 103503 (2006)
  • C.M. Lee, S.H. Choi, J.C. Seo, J.I. Lee, J.Y. Leem, I.K. Han. J. Korean Phys. Soc., 46 (6), 1615 (2004)
  • Y.C. Zhang, C.J. Huang, F.Q. Liu, B. Xu, J. Wu, Y.H. Chen, D. Ding, W.H. Jang, X.L. Ye, Z.G. Wang. J. Appl. Phys., 90 (4), 1973 (2001)
  • G. Saint-Girons, I. Sagnes. J. Appl. Phys., 91 (12), 10115 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.