"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs
Никифоров В.Е.1, Абрамкин Д.С.2,1, Шамирзаев Т.С.2,1,3
1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: tim@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Высокая реакционная способность алюминия приводит к тому, что поверхность гетероструктур на основе AlAs необходимо защищать от окисления слоем GaAs. В результате в приповерхностной области таких гетероструктур всегда есть гетеропереход GaAs/AlAs. В работе показано, что при нерезонансном оптическом возбуждении структур с этим гетеропереходом связана полоса фотолюминесценции, интенсивность которой определяется толщиной и типом легирования защитного слоя GaAs. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45112.26
  • Ж.И. Алфёров. УФН, 172, 1068 (2002)
  • T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, A.K. Gutakovskii, A.K. Kalagin, K.S. Zhuravlev, M. Larsson, P.O. Holtz. Phys. Rev. B, 78, 085323 (2008)
  • Y. Mori, N. Watanabe. J. Electrochem. Soc., 125, 1510 (1978)
  • T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.R. Yakovlev, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, M. Bayer. Phys. Rev. B, 94, 045411 (2016)
  • T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.S. Abramkin, D. Dunker, D.R. Yakovlev, D.V. Dmitriev, A.K. Gutakovskii, L.S. Braginsky, K.S. Zhuravlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 84, 155318 (2011)
  • I.N. Krivorotov, T. Chang, G.D. Gilliland, L.P. Fu, K.K. Bajaj, D.J. Wolford. Phys. Rev. B, 58, 10687 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.