"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
Забавичев И.Ю.1, Оболенская Е.С.1, Потехин А.А.1, Пузанов А.С.1, Оболенский С.В.1, Козлов В.А.1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Проведен расчет распределений радиусов и расстояний между ядрами субкластеров радиационных дефектов в Si, GaAs и GaN. Обсуждаются особенности транспорта горячих носителей заряда в облученных нейтронами материалах. Впервые рассчитан всплеск скорости электронов в Si, GaAs, InGaAs и GaN до и после радиационного воздействия и проведено сравнение силы проявления указанного эффекта в различных полупроводниковых материалах. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45096.10
  • В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники (М., Физматгиз, 1963)
  • С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 4, 49 (2003)
  • С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 33 (6), 153 (2004)
  • Электронный ресурс: http://www.srim.org/
  • Ю.К. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989)
  • М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  • Н.В. Демарина, С.В. Оболенский. ЖТФ, 72 (1), 66 (2002)
  • С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 31 (2002)
  • Р.Ф. Коноплева, В.Н. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием (М., Атомиздат, 1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.