"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
РФФИ, офи_м, 16-29-03123
Villum Fonden, YIP QUEENs
Европейская комиссия, FP7-IRSES HyMeCav
Зубов Ф.И. 1, Семенова Е.С.2, Кулькова И.В.2, Yvind K.2, Крыжановская Н.В.3, Максимов М.В.3, Жуков А.Е.3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
2DTU Fotonics Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D Denmark
3Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: fedyazu@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Представлены результаты исследования синтезированных на подложке InP (100) лазеров с длиной волны излучения около 1.5 мкм, характеризующихся высокой температурной стабильностью. В качестве активной области лазера были использованы самоорганизованные квантовые точки InAs, покрытые тонким слоем GaAs. Волноводным/матричным слоем являлся четверной твердый раствор InGaAsP с шириной запрещенной зоны 1.15 эВ. Высокая характеристическая температура порогового тока T0=205 K в температурном диапазоне 20-50oC была достигнута в лазерных диодах с гребешковым волноводом. Была обнаружена взаимосвязь между значениями T0 и шириной запрещенной зоны волноводных слоев. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45017.8590
  • D. Bimberg, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. IEEE J. Select. Topics. Quant. Electron., 3 (2), 196 (1997)
  • V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74 (19), 2815 (1999)
  • M.G. Thompson, A. Rae, R.L. Sellin, C. Marinelli, R.V. Penty, I.H. White, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, D.A. Livshits, I.L. Krestnikov. Appl. Phys. Lett., 88 (13), 133119 (2006)
  • D.G. Deppe, K. Shavritranuruk, G. Ozgur, H. Chen, S. Freisem. Electron. Lett., 45 (1), 54 (2009)
  • F.I. Zubov, M.V. Maximov, E.I. Moiseev, A.V. Savelyev, Y.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (21), 1686 (2015)
  • S. Fathpour, Z. Mi, P. Bhattacharya, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, N.N. Ledentsov. Appl. Phys. Lett., 85 (22), 5164 (2004)
  • J.S. Kim, J.H. Lee, S.U. Hong, W.S. Han, H.-S. Kwack, C.W. Lee, D.K. Oh. IEEE Phot. Technol. Lett., 16 (7), 1607 (2004)
  • S. Anantathanasarn, R. Notzel, P.J. van Veldhoven, F.W.M. van Otten, Y. Barbarin, G. Servanton, T. de Vries, E. Smalbrugge, E.J. Geluk, T.J. Eijkemans, E.A.J.M. Bente, Y.S. Oei, M.K. Smit, J.H. Wolter. Appl. Phys. Lett., 89 (7), 073115 (2006)
  • A. Marynski, G. Sek, A. Musia, J. Andrzejewski, J. Misiewicz, C. Gilfert, J.P. Reithmaier, A. Capua, O. Karni, D. Gready, G. Eisenstein, G. Atiya, W.D. Kaplan, S. Kolling. J. Appl. Phys., 114 (9), 094306 (2013)
  • K. Akahane, N. Yamamoto, T. Kawanishi. IEEE Phot. Technol. Lett., 22 (2), 103 (2010)
  • Y. Li, T.J. Rotter, Y.C. Xin, A. Stinz, A. Martinez, K.J. Malloy, S. Patterson, L.F. Lester. Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science Conf (Long Beach, CA, USA, 21--26 May 2006), CThX6
  • P. Caroff, C. Paranthoen, C. Platz, O. Dehaese, H. Folliot, N. Bertru, C. Labbe, R. Piron, E. Homeyer, A. Le Corre, S. Loualiche. Appl. Phys. Lett., 87 (24), 243107 (2005)
  • F. Lelarge, B. Rousseau, B. Dagens, F. Poingt, F. Pommereau, A. Accard. IEEE Phot. Technol. Lett., 17 (7), 1369 (2005)
  • C. Gilfert, V. Ivanov, N. Oehl, M. Yacob, J.P. Reithmaier. Appl. Phys. Lett., 98 (20), 201102 (2011)
  • S. Bhowmick, M.Z. Baten, T. Frost, B.S. Ooi, P. Bhattacharya. IEEE J. Quant. Electron., 50 (1), 7 (2014)
  • B. Jo, C.-R. Lee, J.S. Kim, W.S. Han, J.H. Song, J.-H. Choi, J.-H. Ryou, J.H. Lee, J.-Y. Leem. Laser Phys. Lett., 11 (11), 115815 (2014)
  • Z.G. Lu, J.R. Liu, P.J. Poole, S. Raymond, P.J. Barrios, D. Poitras, G. Pakulski, P. Grant, D. Roy-Guay. Opt. Express, 17 (16), 13609 (2009)
  • L. Shuai, J. Hai-Ming, G. Feng, Y. Xiao-Guang, L. Ping, Z. Ling-Juan, Y. Tao. Chin. Phys. Lett., 30 (6), 068101 (2013)
  • K. Yvind, D. Larsson, J. Mrk, J.M. Hvam, M. Thompson, R. Penty, I. White. Proc. SPIE, 6909, 69090A (2008)
  • F. Gao, S. Luo, H.-M. Ji, F. Xu, Z.-R. Lv, X.-G. Yang, P. Liang, T. Yang. Appl. Phys. Lett., 108 (20), 201107 (2016)
  • A.R. Rae, M.G. Thompson, R.V. Penty, I.H. White, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, D.A. Livshits, I.L. Krestnikov. 19th Annual Meeting Lasers and Electro-Optics Soc. (Montreal, Canada, 29 Oct.--2 Nov. 2006), ThR5
  • A.E. Zhukov, M.V. Maximov, A.V. Savelyev, Yu.M. Shernyakov, F.I. Zubov, V.V. Korenev, A. Martinez, A. Ramdane, J.-G. Provost, D.A. Livshits. J. Appl. Phys., 113 (23), 233103 (2013)
  • M.Z.M. Khan, T.K. Ng, B.S. Ooi. Prog. Quant. Electron., 38 (6), 237 (2014)
  • E.S. Semenova, I.V. Kulkova, S. Kadkhodazadeh, M. Schubert, K. Yvind. Appl. Phys. Lett., 99 (10), 101106 (2011)
  • L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R.A. Suris, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (3), 418 (2001)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 34 (5), 841 (1998)
  • J.P. Reithmaier, S. Banyoudeh, A. Abdollahinia, F. Schnabel, V. Sichkovskyi, O. Eyal, G. Eisenstein. Proc. SPIE, 9892, 98920A (2016)
  • S.G. Li, Q. Gong, Y.F. Lao, K. He, J. Li, Y.G. Zhang, S.L. Feng, H.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 93 (11), 111109 (2008)
  • D. Franke, M. Moehrle, A. Sigmund, H. Kuenzel, U.W. Pohl, D. Bimberg. J. Appl. Phys., 109 (8), 083104 (2011)
  • A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021107 (2012).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.