"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 15-02-02189
Иванов А.И.1, Небогатикова Н.А. 1, Куркина И.И. 2, Антонова И.В. 1,3,4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Северо-Восточный федеральный университет им. М.К. Аммосова, Якутск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: aiivanov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Исследован механизм резистивных переключений в плeнках частично фторированного графена. Пленки были получены на основе ряда графеновых суспензий с разным составом и различной степенью фторирования. Экспериментально обнаружена зависимость величины резистивных переключений от наличия в составе суспензии органических добавок (N-метилпирролидон и диметилформамид) и степени фторирования. Показано, что для плeнок, полученных из суспензии без органических составляющих, резистивные переключения не наблюдаются вне зависимости от степени фторирования. Максимальный эффект, ~10-20 раз, обнаружен для плeнок, содержащих диметилформамид. Предложена физическая модель пленок, согласно которой наблюдаемая зависимость связана с наличием в исследованных плeнках капсулированных функциональных групп, образованных из молекул диметилформамида, проявляющих электрическую активность. Измеренные вольт-амперные характеристики пленок наилучшим образом описываются моделью Френкеля-Пула с энергией активации центров 0.08 эВ, ответственных за проводимость. Величина переключений зависит от степени фторирования исходных суспензий. Максимальный эффект наблюдается при степени фторирования суспензии ~ CF0.25. Исследованные в работе суспензии частично фторированного графена подходят для создания приборных структур при помощи 2D-печати. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45013.8498
  • Y. Gao, W. Shi, W. Wang, Y. Leng, Y. Zhao. Ind. Eng. Chem. Res., 53, 16777 (2014)
  • M. Magliulo, M.Y. Mulla, M. Singh, E. Macchia, A. Tiwari, L. Torsi, K. Manoli. J. Mater. Chem. C, 3, 12347 (2015).
  • L. Huang, Y. Huang, J. Liang, X. Wan, Y. Chen. Nano Res., 4, 675 (2011)
  • Z. Jing, Z. Guang-Yu, S. Dong-Xia. Chin. Phys. B, 22, 057701 (2013)
  • C.C. Lin , H.Y. Wu, N.C. Lin, C.H. Lin. Jpn. J. App. Phys., 53, 05FD03 (2014)
  • H.Y. Jeong, J.Y. Kim, J.W. Kim, J.O. Hwang, J.E. Kim, J.Y. Lee, T.H. Yoon, B.J. Cho, S.O. Kim, R.S. Ruoff., S.Y. Choi. Nano Lett., 10, 4381 (2010)
  • B. Standley, A. Mendez, E. Schmidgall, M. Bockrath. Nano Lett., 12, 1165 (2012)
  • N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.A. Volodin, V.Ya. Prinz. Physica E., 52, 106 (2013)
  • N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, V.A. Volodin, D.A. Zatsepin, E.Z. Kurmaev, I.S. Zhidkov, S.O. Cholakh. Nanotechnol. Russ., 9, 51 (2014)
  • I. Kurkina, I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, A.N. Kapitonov, S.A. Smagulova. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 095303 (2016)
  • И.В. Антонова, И.А. Котин, В.И. Попов, Ф.Д. Васильева, А.Н. Капитонов, С.А. Смагулова. ФTП, 50, 1086 (2016)
  • П.С. Крылов, А.С. Берестенников, А.С. Фефелов, А.С. Комолов, А.Н. Алешин. ФTT, 58, 2476 (2016)
  • П.С. Крылов, А.С. Берестенников, А.Н. Алешин, А.С. Комолов, И.П. Щербаков, В.Н. Петров, И.Н. Трапезникова. ФTT, 57, 1639 (2015)
  • N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, I.I. Kurkina, V.I. Vdovin, G.N. Aleksandrov, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, E.R. Zakirova, V.G. Keslera. Phys. Chem. Chem. Phys., 17, 13257 (2015)
  • J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nat. Nanotechol., 8, 13 (2013)
  • I.I. Kurkina, I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, A.N. Kapitonov, S.A. Smagulova. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 095303 (2016)
  • M. Chaumontet, R. Piccardi, N. Audic, J. Hitce, J.L. Peglion, E. Clot, O. Baudoin. J. Am. Chem. Soc., 130, 15157 (2008)
  • A.J. Mcquillan, C.G. Pope. Chem. Phys. Lett., 71, 349 (1980)
  • S. Ding, N. Jiao. Angew. Chem. Int. Ed., 51, 9226 (2012)
  • Я.И. Френкель. Собр. избр. тр. T. 2. Научные статьи (М., Наука, 1958) гл. 13, с. 217
  • R.M. Hill. Phil. Mag., 24, 1307 (1971)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ, 1997) гл. 10, с. 200
  • В. Малиненко, О. Сергеева. Зонный и прыжковый механизмы переноса в неупорядоченных оксидах металлов: Метод. указания к лаб. pаботе (Петрозаводск, ПетрГУ, 2002)
  • П.А. Райкерус, В.А. Лалеко. Физические основы пленочной электроники: Учеб. пособие (Петрозаводск, ПетрГУ, 1987).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.