Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44882.8534

Моисеев К.Д. ¹, Неведомский В.Н.¹, Kudriavtsev Yu.², Escobosa-Echavarria A.², Lopez-Lopez M.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Dep. Ingenieria Electrica-SEES, Cinvestav-IPN, Mexico
³Dep. Fi sica, Cinvestav-IPN, Mexico

Email: mkd@iropt2.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 2 февраля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

PDF версия

Гетероструктуры с квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs, легированные пространственно удаленными моноатомными слоями Mn, были получены на подложке GaAs(001) в режиме монослойного наращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Комбинированные исследования полученных образцов были проведены при помощи метода вторичной ионной масс-спектрометрии, рентгено-дифракционных измерений и с использованием просвечивающего электронного микроскопа. Исследуемые гетероструктуры с концентрацией легирующей примеси 0.5 монослоя были упруго напряжены и демонстрировали планарные четкие границы раздела без видимых протяженных и точечных дефектов. Предложена методика визуализации распределения концентрации марганца в трехмерной матрице GaAs вблизи квантовой ямы. Согласно экспериментальным результатам существует вероятность диффузии марганца в квантовую яму GaAs/InGaAs/GaAs при уменьшении критической толщины буферного слоя GaAs менее 3 нм. Работа была выполнена при частичной поддержке проекта РФФИ (N 15-02-08909). DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44882.8534

H. Ohno. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
A.J. Blattner, J. Lensch, B.W. Wessels. J. Electron. Mater., 30, 1408 (2001)
I. Frymark, G. Kowalski. J. Phys. D: Appl. Phys., 38, A160 (2005)
К.Д. Моисеев, В.П. Лесников, В.В. Подольский, Yu. Kudriavtsev, O. Koudriavtseva, A. Escobosa, V. Sanchez-Resendiz. ФТП, 45, 788 (2011)
A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. B, 67, 241308R (2003)
M.A. Pankov, B.A. Aronzon, V.V. Rylkov, A.B. Davydov, V.V. Tugushev, S. Caprara, I.A. Likhachev, E.M. Pashaev, M.A. Chuev, E. Lahderanta, A.S. Vedeneev, A.S. Bugaev. Eur. Phys. J. B, 85, 206 (2012)
А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов, С.В. Зайцев. ЖЭТФ, 139, 367 (2011)
E.F. Schubert, J.M. Kuo, R.F. Kopf, H.S. Luftman, L.C. Hopkins, N.J. Sauer. J. Appl. Phys., 67, 1969 (1990)
C.M. Yee-Rendon, M. Lopez-Lopez, M. Melendez-Lira. Rev. Mexic. Fisica, 50, 193 (2004)
A. Del Ri o-De Santiago, V.H. Mendez-Garci a, I. Mart-Velis, Y.L. Casallas-Moreno, E. Lopez-Luna, A.Yu. Gorbatchev, M. Lopez-Lopez, E. Cruz-Hernandez. Appl. Surf. Sci., 333, 92 (2015)
Y. Gao. J. Appl. Phys., 64, 3760 (1988)
J.M. Schroer, H. Gnaser, H. Oechsner. Proc. 9^th Int. Conf. Second. Ion Mass Spectrometry (Yokohama, Japan, Nov. 7-12, 1993) p. 386
S. Gallardo-Hernandez, I. Martinez-Velis, M. Ramirez-Lopez, Y. Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, S. Luiz Morelhao, M. Lopez-Lopez. Appl. Phys. Lett., 103, 192113 (2013)
A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. J. Cryst. Growth, 251, 303 (2003)
M. Shirai, T. Ogawa, I. Kitagawa, N. Suzuki. J. Magn. Magn. Mater., 177, 1383 (1998)
Yu. Kudriavtsev, R. Asomoza, S. Gallardo-Hernandez, M. Ramirez-Lopez, M. Lopez-Lopez, V. Nevedomsky, K. Moiseev. Physica B, 453, 53 (2014)
H. Gnaser. Low-Energy Ion Irradiation of Solid Surfaces. In: G. Hohler (eds), Springer, Tracts in Modern Physics, v. 146 (Verlag Berlin Heidelberg, 1999) p. 13
www.srim.org
S. Gallardo, Y. Kudriavtsev, A. Villegas, G. Ramirez, R. Asomoza, E. Cruz-Hernandez, J.S. Rojas-Ramirez, M. Lopez-Lopez. Appl. Surf. Sci., 255, 1341 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель