Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Dep. Ingenieria Electrica-SEES, Cinvestav-IPN, Mexico
3Dep. Fi sica, Cinvestav-IPN, Mexico
2Dep. Ingenieria Electrica-SEES, Cinvestav-IPN, Mexico
3Dep. Fi sica, Cinvestav-IPN, Mexico
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
Гетероструктуры с квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs, легированные пространственно удаленными моноатомными слоями Mn, были получены на подложке GaAs(001) в режиме монослойного наращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Комбинированные исследования полученных образцов были проведены при помощи метода вторичной ионной масс-спектрометрии, рентгено-дифракционных измерений и с использованием просвечивающего электронного микроскопа. Исследуемые гетероструктуры с концентрацией легирующей примеси 0.5 монослоя были упруго напряжены и демонстрировали планарные четкие границы раздела без видимых протяженных и точечных дефектов. Предложена методика визуализации распределения концентрации марганца в трехмерной матрице GaAs вблизи квантовой ямы. Согласно экспериментальным результатам существует вероятность диффузии марганца в квантовую яму GaAs/InGaAs/GaAs при уменьшении критической толщины буферного слоя GaAs менее 3 нм. Работа была выполнена при частичной поддержке проекта РФФИ (N 15-02-08909). DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44882.8534
- H. Ohno. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
- A.J. Blattner, J. Lensch, B.W. Wessels. J. Electron. Mater., 30, 1408 (2001)
- I. Frymark, G. Kowalski. J. Phys. D: Appl. Phys., 38, A160 (2005)
- К.Д. Моисеев, В.П. Лесников, В.В. Подольский, Yu. Kudriavtsev, O. Koudriavtseva, A. Escobosa, V. Sanchez-Resendiz. ФТП, 45, 788 (2011)
- A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. B, 67, 241308R (2003)
- M.A. Pankov, B.A. Aronzon, V.V. Rylkov, A.B. Davydov, V.V. Tugushev, S. Caprara, I.A. Likhachev, E.M. Pashaev, M.A. Chuev, E. Lahderanta, A.S. Vedeneev, A.S. Bugaev. Eur. Phys. J. B, 85, 206 (2012)
- А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов, С.В. Зайцев. ЖЭТФ, 139, 367 (2011)
- E.F. Schubert, J.M. Kuo, R.F. Kopf, H.S. Luftman, L.C. Hopkins, N.J. Sauer. J. Appl. Phys., 67, 1969 (1990)
- C.M. Yee-Rendon, M. Lopez-Lopez, M. Melendez-Lira. Rev. Mexic. Fisica, 50, 193 (2004)
- A. Del Ri o-De Santiago, V.H. Mendez-Garci a, I. Mart-Velis, Y.L. Casallas-Moreno, E. Lopez-Luna, A.Yu. Gorbatchev, M. Lopez-Lopez, E. Cruz-Hernandez. Appl. Surf. Sci., 333, 92 (2015)
- Y. Gao. J. Appl. Phys., 64, 3760 (1988)
- J.M. Schroer, H. Gnaser, H. Oechsner. Proc. 9th Int. Conf. Second. Ion Mass Spectrometry (Yokohama, Japan, Nov. 7-12, 1993) p. 386
- S. Gallardo-Hernandez, I. Martinez-Velis, M. Ramirez-Lopez, Y. Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, S. Luiz Morelhao, M. Lopez-Lopez. Appl. Phys. Lett., 103, 192113 (2013)
- A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. J. Cryst. Growth, 251, 303 (2003)
- M. Shirai, T. Ogawa, I. Kitagawa, N. Suzuki. J. Magn. Magn. Mater., 177, 1383 (1998)
- Yu. Kudriavtsev, R. Asomoza, S. Gallardo-Hernandez, M. Ramirez-Lopez, M. Lopez-Lopez, V. Nevedomsky, K. Moiseev. Physica B, 453, 53 (2014)
- H. Gnaser. Low-Energy Ion Irradiation of Solid Surfaces. In: G. Hohler (eds), Springer, Tracts in Modern Physics, v. 146 (Verlag Berlin Heidelberg, 1999) p. 13
- www.srim.org
- S. Gallardo, Y. Kudriavtsev, A. Villegas, G. Ramirez, R. Asomoza, E. Cruz-Hernandez, J.S. Rojas-Ramirez, M. Lopez-Lopez. Appl. Surf. Sci., 255, 1341 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
