"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
Мнацаканов Т.Т.1, Тандоев А.Г.1, Левинштейн М.Е.2, Юрков С.Н.1, Palmour J.W.3
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Wolfspeed, A Cree company,,East Cornwallis Rd., Research Triangle Park, NC, USA E-mail:
Email: mnatt@yandex.ru
Поступила в редакцию: 30 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Получено аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики диода Шоттки при высоком уровне инжекции неосновных носителей заряда. Вплоть до самых высоких значений плотности тока падение напряжения на диоде тем больше, чем выше уровень легирования базы. Проанализирован физический механизм, обусловливающий возникновение этого парадоксального" результата. Численный расчет с помощью программы, учитывающей полную совокупность нелинейных эффектов, обусловленных высоким уровнем инжекции в базовом слое и сильным легированием эмиттерной области, подтверждает справедливость полученного аналитического результата. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44801.8478
  • L.M. Hillkirk. Solid State Electron., 48, 2181 (2004)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Semicond. Sci. Technol., 23, 085011 (2008)
  • J.W. Palmour, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 235103 (2015)
  • D.L. Scharfetter. Solid State Electron., 8, 299 (1965)
  • A. Yu, E. Snow. Solid State Electron., 12, 155 (1969)
  • B. Elfsten, P.A. Tove. Solid State Electron., 28, 721 (1985)
  • W.T. Ng, S. Liang, C.A.T. Salama. Solid State Electron., 33, 39 (1990)
  • K. Sarpatwari, S.E. Mohney, S. Ashok, O.O. Awadelkarim. Phys. Status Solidi A, 207, 1509 (2010)
  • R. Singh, D.C. Capell, A.R. Hefner, J. Lai, J.W. Palmour. IEEE Trans. Electron Dev., 49, 2054 (2002)
  • J.H. Zhao, K. Sheng, R.C. Lebron-Velilla. In: SiC Materials and Devices, vol. 1, ed. by M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein (World Scientific, Singapore--New Jersey, 2006) p. 117
  • C. Buttay, C. Raynaud, H. Morel, G. Civrac, M.-L. Locatelli, F. Morel. IEEE Trans. Electron Dev., 59, 761 (2012)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 105, 044506 (2009)
  • T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Semicond. Sci. Technol., 24, 075006 (2009)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Solid State Electron., 121, 41 (2016)
  • M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Solid State Electron., 52, 1802 (2008)
  • M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids, (N. Y.-London, Academic Press, 1970)
  • T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Solid State Electron., 30, 579 (1987)
  • T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.