Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Примесные уровни в кристаллах Hg3In2Te6
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина 
Email: o.grushka@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 6 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.
Исследованы параметры примесных уровней в образцах Hg3In2Te6, при использовании температурных зависимостей концентрации электронов n(T) и энергии Ферми EF(T), полученных по данным коэффициента Холла R(T) и термоэдс alpha(T). Приведенный дифференциальный анализ зависимостей n(T) показал, что изменяя степень компенсации с помощью термообработки образцов, можно зафиксировать более широкий спектр примесных уровней в запрещенной зоне Hg3In2Te6. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44794.8476
- О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП, 46 (3), 327 (2012)
- Л.Н. Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра (М., изд-во МФТИ, 1999)
- О.Г. Грушка, А.И. Савчук, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук. ФТП, 48 (10), 1307 (2014)
- О.Г. Грушка. ФТП, 50 (6), 735 (2016)
- H.-J. Hoffman. Appl. Phys., 19 (3), 307 (1979)
- К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60 (2), 867 (1971)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП, 14 (5), 825 (1980)
- П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
