Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сверхпроводящие свойства (Pb0.05Sn0.95)Te, легированного индием, в условиях гидростатического сжатия
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: chernyaevav@yandex.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.
Изучены сверхпроводящие свойства полупроводникового сплава Pb0.05Sn0.95Te, легированного 5 ат.% In, при гидростатическом сжатии P<7 кбар. При увеличении давления P>1.35 кбар исчезает скачок сопротивления к rho=0 на температурных и магнитополевых зависимостях электросопротивления rho(T) при T≥1.3 K и rho(H), соответствующих переходу в сверхпроводящее состояние. Экспериментальные результаты свидетельствуют об уменьшении плотности состояний на уровне Ферми с ростом давления, что можно интерпретировать как смещение уровня индия вглубь валентной зоны. Полученные данные уточняют и дополняют результаты работ по изучению барических зависимостей критических параметров сверхпроводящего перехода в (PbzSn1-z)0.95In0.05Te с различным содержанием свинца z. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44788.57
- G. Balakrishnan, L. Bawden, S. Cavendish, M.R. Lees. Phys. Rev. B, 140507(R) (2013)
- Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов. ФТТ, 43, 1772 (2001)
- Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компанеец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. ФТТ, 28, 1094 (1986)
- А.В. Березин, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ, 35, 53 (1993)
- В.И. Козуб, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, Д.В. Шакура, А.В. Черняев, С.А. Немов. Письма ЖЭТФ, 84, 37 (2006)
- Г.О. Андрианов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев. ФТТ, 52, 1688 (2010)
- Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов. Физика низких температур, 41, 147 (2015)
- Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов. ФТТ, 41, 2132 (1999)
- М.А. Шубников. Приборы и техника эксперимента, 5, 178 (1981)
- Г.О. Андрианов, В.И. Козуб, Н.Ю. Михайлин, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев. Тез. докл. XII Росс. конф. по физике полупроводников (Звенигород, 21-25 сентября 2015) с. 219
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
