Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сверхпроводящие свойства (Pb_0.05Sn_0.95)Te, легированного индием, в условиях гидростатического сжатия

DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44788.57

Михайлин Н.Ю.¹, Парфеньев Р.В.¹, Черняев А.В.¹, Шамшур Д.В.¹, Андрианов Г.О.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: chernyaevav@yandex.ru

Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены сверхпроводящие свойства полупроводникового сплава Pb_0.05Sn_0.95Te, легированного 5 ат.% In, при гидростатическом сжатии P<7 кбар. При увеличении давления P>1.35 кбар исчезает скачок сопротивления к rho=0 на температурных и магнитополевых зависимостях электросопротивления rho(T) при T≥1.3 K и rho(H), соответствующих переходу в сверхпроводящее состояние. Экспериментальные результаты свидетельствуют об уменьшении плотности состояний на уровне Ферми с ростом давления, что можно интерпретировать как смещение уровня индия вглубь валентной зоны. Полученные данные уточняют и дополняют результаты работ по изучению барических зависимостей критических параметров сверхпроводящего перехода в (Pb_zSn_1-z)_0.95In_0.05Te с различным содержанием свинца z. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44788.57

G. Balakrishnan, L. Bawden, S. Cavendish, M.R. Lees. Phys. Rev. B, 140507(R) (2013)
Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов. ФТТ, 43, 1772 (2001)
Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компанеец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. ФТТ, 28, 1094 (1986)
А.В. Березин, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ, 35, 53 (1993)
В.И. Козуб, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, Д.В. Шакура, А.В. Черняев, С.А. Немов. Письма ЖЭТФ, 84, 37 (2006)
Г.О. Андрианов, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев. ФТТ, 52, 1688 (2010)
Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов. Физика низких температур, 41, 147 (2015)
Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, С.А. Немов. ФТТ, 41, 2132 (1999)
М.А. Шубников. Приборы и техника эксперимента, 5, 178 (1981)
Г.О. Андрианов, В.И. Козуб, Н.Ю. Михайлин, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев. Тез. докл. XII Росс. конф. по физике полупроводников (Звенигород, 21-25 сентября 2015) с. 219

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель