"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
Галиев Г.Б. 1, Клочков А.Н. 1, Васильевский И.С.2, Климов Е.А. 1, Пушкарев С.С. 1, Виниченко А.Н.2, Хабибуллин Р.А.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: klochkov_alexey@mail.ru, serp456207@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Сравниваются электронные транспортные и оптические свойства гетероструктур с приповерхностной квантовой ямой InGaAs/InAlAs при использовании инвертированного (снизу от квантовой ямы) и стандартного (сверху от квантовой ямы) delta-легирования атомами Si. Показано, что при использовании инвертированного легирования происходит увеличение плотности двумерных электронов в квантовой яме по сравнению со стандартным расположением легирующего слоя при идентичных составах и толщинах других слоев гетероструктур. Наблюдаемые особенности низкотемпературного электронного транспорта (осцилляций Шубникова--де-Гааза, эффекта Холла) и спектров фотолюминесценции гетероструктур интерпретированы с помощью моделирования зонной структуры. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44559.8456
  • E.-Y. Chang, C.-I. Kuo, H.-T. Hsu, C.-Y. Chiang, Y. Miyamoto. Appl. Phys. Express, 6, 034001 (2013)
  • J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  • R. Lai, X.B. Mei, W.R. Deal, W. Yoshida, Y.M. Kim, P.H. Liu, J. Lee, J. Uyeda, V. Radisic, M. Lange, T. Gaier, L. Samoska, A. Fung. Proc. IEDM Tech. Dig. (December 2007) p. 609
  • D.H. Kim, J.A. del Alamo, P. Chen, W. Ha, M. Urteaga, B. Brar. Proc. IEDM Tech. Dig. (December 2010) p. 692
  • K. Kalna, S. Roy, A. Asenov, K. Elgaid, I. Thayne. Sol. St. Electron., 46, 631 (2002)
  • Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Matsui. IEEE Electron Dev. Lett., 22, 367 (2001)
  • D.K. Ferry, J. Ayubi-Moak, R. Akis, N. Faralli, M. Saraniti, S.M. Goodnick. J. Phys.: Conf. Ser., 109, 012001-1 (2008)
  • X. Zhou, Q. Li, C.W. Tang, K.M. Lau. Appl. Phys. Express, 5, 104201 (2012)
  • Q. Li, X. Zhou, C.W. Tang, K.M. Lau. IEEE Trans. Electron. Dev., 60 (12), 4112 (2013)
  • S. Lee, J.J.M. Law, A.D. Carter, B.J. Thibeault, W. Mitchell, V. Chobpattana, S. Kramer, S. Stemmer, A.C. Gossard, M.J.W. Rodwell. IEEE Electron. Dev. Lett., 33 (11), 1553 (2012)
  • S. Sasa, J. Saito, K. Nanbu, T. Ishikawa, S. Hiyamizu. Jpn. J. Appl. Phys., 23, L573 (1984)
  • M. Heiblum. J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 820 (1985)
  • N.M. Cho, D.J. Kim, A. Madhukar, P.G. Newman, D.D. Smith, T. Aucoin, G.J. Iafrate. Appl. Phys. Lett., 52, 2037 (1988)
  • H. Shtrikman, M. Heiblum, K. Seo, D.E. Galbi, L. Osterling. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 670 (1988)
  • T. Sajoto, M. Santos, J.J. Heremans, M. Shayegan, M. Heiblum, M.V. Weckwerth, U. Meirav. Appl. Phys. Lett., 54, 840 (1989)
  • T.J. Drummond, H. Morkoc, K.Y. Cheng, A.Y. Cho. J. Appl. Phys., 53, 3654 (1982)
  • A.S. Brown, R.A. Metzger, J.A. Henige, L. Nguyen, M. Lui, R.G. Wilson. Appl. Phys. Lett., 59, 3610 (1991)
  • T. Akazaki, J. Nitta, H. Takayanagi, T. Enoki, K. Arai. Appl. Phys. Lett., 65, 1263 (1994)
  • H. Kunzel, H.G. Bach, J. Bottcher, C. Heedt. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 2910 (1994)
  • Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Wiley, 1981)]
  • Р.А. Хабибуллин, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, В.А. Кульбачинский, П.Ю. Боков, Л.П. Авакянц, А.В. Червяков, П.П. Мальцев. ФТП, 47 (9), 1215 (2013)
  • Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарёв, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1243 (2015)
  • S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, 2009)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  • K. Kajiyama, Y. Mizushima, S. Sakata. Appl. Phys. Lett., 23, 458 (1973)
  • S.K. Brierley. J. Appl. Phys. 74, 2760 (1993)
  • H. Brugger, H. Mussig, C. Wolk, K. Kern, D. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 59 (21), 2739 (1991)
  • G.B. Galiev, I.S. Vasilevskii, E.А. Klimov, S.S. Pushkarev, A.N. Klochkov, P.P. Maltsev, M.Yu. Presniakov, I.N. Trunkin, A.L. Vasiliev. J. Cryst. Growth, 392, 11 (2014)
  • Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 48 (5), 658 (2014)
  • О.А. Рубан, С.С. Пушкарев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, П.П. Мальцев. Нано- и микросистемная техника, 10, 12 (2013).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.