"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероэпитаксиальные структуры InAs1-xSbx на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
US National Science Foundation, DMR1160843
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской Республики, EIF-2013-9(15)-46/06/1
Гусейнов Р.Р.1, Танрывердиев В.А.1, Kipshidze G.2, Алиева Е.H.1, Алигулиева Х.В.1, Абдуллаев Н.А.1, Мамедов Н.Т.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
2Stony Brook University, Stony Brook, New York, USA
Email: gela.kipshidze@stonybrook.edu, abnadir@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs1-xSbx (x=0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs1-xSbx. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44351.8401
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  • Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67, 7034 (1990)
  • M.Y. Yen, R. People, K.W. Wecht, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 52, 489 (1988)
  • S.P. Svensson, W.L. Sarney, H. Hier, Y. Lin, D. Wang, D. Donetsky, L. Shterengas, G. Kipshidze, G.L. Belenky. Phys. Rev. B, 86, 245205 (2012)
  • E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, M.L. Green, D. Brasen, A.R. Kortan, J. Michel, Y.J. Mii, B.E. Weir. Appl. Phys. Lett., 59, 811 (1991)
  • J. Tersoff. Appl. Phys. Lett., 62, 693 (1993)
  • G.L. Belenky, D. Donetsky, G. Kipshidze, D. Wang, L. Shterengas, W.L. Sarney, S.P. Svensson. Appl. Phys. Lett., 99, 141116 (2011)
  • M. Razeghi. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 23, 149 (2003)
  • D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  • Y.B. Li, S.S. Dosandjh, I.T. Ferguson, A.G. Norman, A.G. de Oliveyra, R.A. Stradling, R. Zallen. Semicond. Sci. Technol., 7, 567 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.