"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
Елистратова М.А. 1,2, Романов Н.М.1,3, Горячев Д.Н.2, Захарова И.Б. 1, Сресели О.М.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Lappeenranta University of Technology, Лаппeенранта, Финляндия
Email: marina.elistratova@mail.ioffe.ru, Marina.Elistratova@mail.ioffe.ru, zakharova@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Исследовано влияние гамма-облучения на люминесцентные свойства пористого кремния, полученного электрохимическим методом. Регистрировались изменения фотолюминесценции между дозами облучения и в течение нескольких дней после последнего облучения. Обнаружено гашение фотолюминесценции при небольших дозах облучения и восстановление ее после дальнейшего облучения. Выявлено сильное окисление пористого кремния после гамма-облучения, продолжающееся в течение нескольких дней после облучения. Предполагается, что изменение спектров и интенсивности фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения обусловлено изменением типа пассивации пористой поверхности: вместо водородной пассивации наблюдается более стабильная кислородная. Для стабилизации спектров фотолюминесценции пористого кремния предложено использовать фуллерен. У образца пористого кремния со слоем термически напыленного фуллерена не обнаружено значительных изменений спектров фотолюминесценции во время облучения и в течение 18 дней после него. Показана стабильность к гамма-облучению и окислению образцов пористого кремния с напыленным слоем C60. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44343.8451
  • Н.С. Савкина, В.В. Ратников, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А. Волкова. ФТП, 36 (7), 812 (2002)
  • J.I. Sohn, S. Lee, Y.H. Song, S.Y. Choi, K.I. Cho, K.S. Nam. Appl. Phys. Lett., 78 (7), 901 (2001)
  • С.К. Лазарук, А.А. Лешок, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко. ФТП, 39 (1), 149 (2005)
  • N. Naderi, M.R. Hashim. J. Alloys Comp., 552, 356 (2013)
  • J.H. Petermann, D. Zielke, J. Schmidt, F. Haase, E.G. Rojas, R. Brendel. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 20 (1), 1 (2012)
  • J.O. Estevez, V. Agarwal. Porous Silicon Photonic Crystals. Handbook of Porous Silicon (Springer Intern. Publ., 2014) p. 805
  • A. Birner, R.B. Wehrspohn, U.M. Gosele, K. Busch. Adv. Mater., 13 (6), 377 (2001)
  • V.S.Y. Lin, K. Motesharei, K.P.S. Dancil, M.J. Sailor, M.R. Ghadiri. Science, 278 (5339), 840 (1997)
  • T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Phys., 50 (3), 483 (2003)
  • I.K. Abbas, L.A. Najam, A.U.K.A. Sulaiman. Int. J. Phys., 3 (1), 1 (2015)
  • L.A. Najam, I.K. Abbas, A.U.K. A. Sulaiman. Adv. Appl. Sci. Res., 5, 218 (2014)
  • J.S. Fu, J.C. Mao, E. Wu, Y.Q. Jia, B.R. Zhang, L.Z. Zhang, Y.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 63 (13), 1830 (1993)
  • Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.И. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь, В.Е. Харциев. ФТП, 29 (7), 1301 (1995)
  • F. Cataldo. Fullerene Sci. Technol., 8 (6), 577 (2000)
  • H. Klesper, R. Baumann, J. Bargon, J. Hormes, H. Zumaque-Di az, G.A. Kohring. Appl. Phys. A, 80 (7), 1469 (2005)
  • Т.Л. Макарова. ФТП, 35 (3), 257 (2001)
  • О.М. Сресели, Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, С.П. Вуль, И.Б. Захарова, Е.А. Алексеева. ФТП, 38 (1), 124 (2004)
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
  • Е.В. Астрова, Р.Ф. Витман, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30 (3), 507 (1996)
  • J. Drechsel, H. Frob. Vakuum in Forschung und Praxis (Wiley, 2008), 20 (S1), 15 (2008)
  • И.Б. Захарова, В.М. Зиминов, Н.М. Романов, О.Е. Квятковский, Т.Л. Макарова. ФТТ, 56 (5), 1024 (2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.