"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
Министерство образования и науки РФ , Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, No 14.607.21.0011 (уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0011)
Слаповский Д.Н.1,2, Павлов А.Ю. 2, Павлов В.Ю.2, Клековкин А.В.2,3
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: dslapovskiy@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2017 г.

Впервые в России исследована сплавная контактная композиция Si/Al/Ti/Au для формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN с использованием температурного отжига. Проведено сравнение полученных результатов с традиционными омическими контактами Ti/Al/Ni/Au. Использование исследуемой композиции позволило снизить температуру отжига до 675-700oC, что привело к улучшению морфологии сплавных омических контактов по сравнению с традиционными. Были получены зависимости значения контактного сопротивления с использованием композиции на основе Si/Al к гетероструктуре AlGaN/GaN от температуры и длительности температурного отжига. Показано, что в диапазоне температур 700-750oC качественного изменения сопротивления не происходит при длительности отжига несколько минут. В диапазоне температур 675-700oC идет асимптотическое уменьшение удельного контактного сопротивления при увеличении длительности отжига. Минимальное значение удельного контактного сопротивления составило 0.41 Ом·мм. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44336.8418
  • В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009)
  • S. Yoon, J. Bang, H. Lee, J. Oh. Microelectron. Engin., 151, 60 (2016)
  • S. Yoon, Y. Song, S.M. Lee, H. Lee, J. Oh. Semicond. Sci. Technol., 31, 055002 (2016)
  • S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, K.J. Duxtad, E.E. Haller, Z.F. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, A.E. Botchkarev, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 69 (11), 1556 (1996)
  • A. Motayed, R. Bathe, M.C. Wood, O.S. Diouf, R.D. Vispute, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 93 (2), 1087 (2003)
  • Y. Liu, S.P. Singh, L.M. Kyaw, M.K. Bera, Y.J. Ngoo, H.R. Tan, S. Tripathy, G.Q. Lo, E.F. Chor. ECS J. Solid State Sci. Technol., 4( 2), 30 (2015)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  • Y. Liu, M.K. Bera, L.M. Kyaw, G.Q. Lo, E.F. Chor. Int. J. Electron. Comput. Inf. Technol., 6 (9), 957 (2012)
  • D. Selvanathan, F.M. Mohammed, A. Tesfayesus, I. Adesida. J. Vac. Sci. Technol., 22 (5), 2409 (2004)
  • A. Schmid, Ch. Schroeter, R. Otto, M. Schuster, V. Klemm, D. Rafaja, J. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 106, 053509 (2015)
  • A.T. Ping, M.A. Khan, I. Adesida. J. Electron. Mater., 25, 819 (1996)
  • C.T. Lee, M.Y. Yeh, Y.T. Lyu. J. Electron. Mater., 26, 262 (1997)
  • G. Guodong, D. Shaobo, L. Yuanjie, H. Tingting, X. Peng, Y. Jiayun, F. Zhihong. J. Semicond., 34 (11), 114004 (2013)
  • F.M. Mohammed, L. Wang, I. Adesida. J. Appl. Phys., 88, 212107 (2006)
  • V. Desmaris, J. Shiu, Ch. Lu, N. Rorsman, H. Zirath, E. Chang. J. Appl. Phys., 100, 034904 (2006)
  • F.M. Mohammed, L. Wang, H.J. Koo, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 033708 (2007)
  • F.M. Mohammed, L. Wang, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 013702 (2007)
  • W. Macherzynski, A. Stafiniak, A. Szyszka, J. Gryglewicz, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Tlaczala. Optica Applicata, 39 (4), 673 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.