"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD)
Козловский В.В.1, Лебедев А.А.2, Стрельчук А.М.2, Давыдовская К.С.2, Васильев А.Э.1, Макаренко Л.Ф.3
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
Email: kozlovski@physics.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 7 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2017 г.

Проведено исследование электрофизических характеристик эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD) при его облучении электронами с энергиями 0.9 и 3.5 МэВ. Показано, что скорость удаления доноров увеличивается почти в 4 раза с ростом энергии бомбардирующих электронов в 4 раза, хотя сечение образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля в подрешетке углерода), ответственных за компенсацию проводимости материала, в этом диапазоне практически не зависит от энергии. Предположено, что причиной наблюдаемых различий является влияние первично выбитых атомов. Во-первых, с ростом энергии первично выбитых атомов начинают сказываться каскадные процессы. Во-вторых, увеличивается среднее расстояние между генетически родственными парами Френкеля и как следствие увеличивается доля не рекомбинирующих при облучении дефектов. Проведены оценки радиуса рекомбинации пары Френкеля в подрешетке углерода и возможного зарядового состояния рекомбинирующих компонент. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44199.8399
  • J. Lutz, H. Schlangenotto, U. Scheuermann, Rik De Doncker. Semiconductor Power Devices Physics. Characteristics, Reliability (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 2011)
  • В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
  • L.F. Zakharenkov, V.V.Kozlovski, B.A. Shustrov. Phys. Status Solidi A, 117, 85 (1990)
  • C. Claeys, E. Simoen. Radiation Effects in advanced semiconductor materials and devices (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 2002)
  • A. Holmes-Siedle, L. Adams. Handbook of radiation effects (Oxford, Oxford University, 1993)
  • V. Kozlovski, V. Abrosimova. Radiation Defect Engineering (World Scientific, 2005)
  • W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 58 (1977)
  • V.V. Kozlovski, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, A.A. Lebedev, V.V. Emtsev, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin. Physica B, 404, 4752 (2009)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053706 (2005)
  • В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42, 243 (2008)
  • J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353- 356, 381 (2001)
  • J.W. Steeds, G.A. Evans, S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1923 (2002)
  • H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011)
  • V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
  • http://cree.com/
  • W.A. MacKinley, H. Feshbach. Phys. Rev., 74, 1759 (1948)
  • G.J. Dienes, G.H. Vineyard. Radiation Effects in Solids (Interscience Publishers, N. Y., 1957)
  • G.H. Kinchin, R.S. Pease. Rep. Prog. Phys., 18, 1 (1955)
  • J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon, N. Y., 1985)
  • http://www.srim.org
  • А.М. Иванов, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан, Б. Шмидт. ФТП, 29, 543 (1995)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
  • A. Nylandsted Larsen, A. Mesli. Electron and Proton Irradiation of Silicon. Chap. 2. In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera and Ch. Jagadish [Ser. Semiconductors and Semimetals, vol. 91] (Elsevier, 2015) p. 47
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN,InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
  • N. Iwamoto, B.G. Svensson. Point Defects in Silicon Carbide. Chap. 10. In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera and Ch. Jagadish [Ser. Semiconductors and Semimetals, vol. 91] (Elsevier, 2015) p. 369
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.