Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров в сверхрешетках из нитрида и оксида кремния

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44106.8323

Шулейко Д.В.¹, Заботнов С.В.^1,2,3, Жигунов Д.М.¹, Зеленина А.А.⁴, Каменских И.А.^1,2, Кашкаров П.К.^1,2,3

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

³Московский физико-технический институт (факультет нано-, био-, информационных и когнитивных технологий), Долгопрудный, Россия Moscow Institute of Physics and Technology, Department of Nano-, Bio-, Information, and Cognitive Technologies, Dolgoprudnyi, Russia

Moscow Institute of Physics and Technology, Department of Nano-, Bio-, Information, and Cognitive Technologies, Dolgoprudnyi, Russia

⁴Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: shuleyko.dmitriy@physics.msu.ru

Поступила в редакцию: 10 мая 2016 г.

Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотолюминесцентные свойства сверхрешеток на основе нитрида и оксида кремния, изготовленных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы. В структурах, отожженных при температуре 1150^oC, зарегистрированы пики фотолюминесценции в районе 1.45 эВ, обусловленные рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах, формируемых в результате отжига. Наряду с этим были зарегистрированы пики, вызванные рекомбинацией на дефектах, существующих на границе нанокристаллов и матрицы нитрида кремния. Структуры, отожженные при температуре 900^oC, имеют ряд пиков фотолюминесценции в диапазоне 1.3-2.0 эВ, обусловленных как дефектами, так и рекомбинацией экситонов в аморфных кремниевых нанокластерах, формирующихся при используемой температуре отжига. Наблюдаемые особенности всех спектров фотолюминесценции подтверждаются характером ее кинетики. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44106.8323

P.F. Trwoga, A.J. Kenyon, C.W. Pitt. J. Appl. Phys., 83, 3789 (1998)
D.M. Zhigunov, V.N. Seminogov, V.Yu. Timoshenko, V.I. Sokolov, V.N. Glebov, A.M. Malyutin, N.E. Maslova, O.A. Shalygina, S.A. Dyakov, A.S. Akhmanov, V.Ya. Panchenko, P.K. Kashkarov. Physica E, 41, 1006 (2009)
T. Creazzo, B. Redding, E. Marchena, J. Murakowski, D.W. Prather. J. Luminesc., 130, 631 (2010)
A. Zelenina, S.A. Dyakov, D. Hiller, S. Gutsch, V. Trouillet, M. Bruns, S. Mirabella, P. Loper, L. Lopez-Conesa, J. Lopez-Vidrier, S. Estrade, F. Peiro, B. Garrido, J. Blasing, A. Krost, D.M. Zhigunov, M. Zacharias. J. Appl. Phys., 114, 184 311 (2013)
A.M. Hartel, D. Hiller, S. Gutsch, P. Loper, S. Estrade, F. Peiro, B. Garrido, M. Zacharias. Thin Sol. Films, 520 (1), 121 (2011)
R.J. Walters, J. Kalkman, A. Polman, H.A. Atwater, M.J.A. de Dood. Phys. Rev. B, 73, 132 302 (2006)
Jonghoon Choi, Nam Sun Wang, Vytas Reipa. Langmuir, 23, 3388 (2007)
E. Quiroga-Gonzalez, W. Bensch, M. Aceves-Mijares, Z. Yu, R. Lopez-Estopier, K. Monfil-Leyva. Thin Sol. Films, 519 (22), 8030 (2011)
Y. Li, P. Liang, Zh. Hu, Sh. Guo, H. Cai, F. Huang, J. Sun, N. Xu, J. Wu. Appl. Surf. Sci., 320, 804 (2014)
S. Veprek, G.J. Maritza Veprek-Heijman. J. Vac. Sci. Technol. A, 33, 043001 (2015)
A.V. Emelyanov, A.G. Kazanskii, P.A. Forsh, D.M. Zhigunov, M.V. Khenkin, N.N. Petrova, A.V. Kukin, E.I. Terukov, P.K. Kashkarov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 10 (5), 649 (2015)
A.V. Emelyanov, A.G. Kazanskii, M.V. Khenkin, P.A. Forsh, P.K. Kashkarov, M. Gecevicius, M. Beresna, P.G. Kazansky. Appl. Phys. Lett., 101 (8), 081902 (2012)
E.A. Konstantinova, V.A. Demin, A.S. Vorontzov, Y.V. Ryabchikov, I.A. Belogorokhov, L.A. Osminkina, P.A. Forsh, P.K. Kashkarov, V.Y. Timoshenko. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1156 (2006)
Y.-H. So, Sh. Huang, G. Conibeer, M.A. Green. Thin Sol. Films, 519, 5408 (2011)
T.V. Torchynska, J.L. Casas Espinola, L. Khomenkova, E. Vergara Hernandez, J.A. Andraca Adame, A. Slaoui. Mater. Sci. Semicond. Proc., 37, 46 (2015)
N. Hafsi, H. Bouridah, M.R. Beghoul, H. Haoues. J. Appl. Phys., 117, 063105 (2015)
B.M. Monroy, G. Santana, J. Aguilar-Hernandez, A. Benami, J. Fandino, A. Ponce, G. Contreras-Puente, A. Ortiz, J.C. Alonso. J. Luminesc., 121, 349 (2006)
L.V. Goncharova, P.H. Nguyen, V.L. Karner, R. D'Ortenzio, S. Chaudhary, C.R. Mokry, P.J. Simpson. J. Appl. Phys., 118, 224302 (2015).
О.И. Ерошова, П.А. Перминов, А.А. Ежов, Л.А. Головань, С.В. Заботнов, П.К. Кашкаров, М.Б. Гонгальский. Кристаллография, 57 (6), 942 (2012)
J. Linnros, N. Lalic, A. Galeckas, V. Grivickas. J. Appl. Phys., 86, 6128 (1999)
G. Scardera, T. Puzzer, I. Perez-Wurfl, G. Conibeer. J. Cryst. Growth, 310, 3680 (2008)
W. Liao, X. Zeng, X. Wen, X. Chen, W. Wang. Vacuum, 121, 147 (2015)
T.-Y. Kim, N.-M. Park, K.-H. Kim, G. Y. Sung, Y.-W. Ok, T.-Y. Seong, Ch.-J. Choi. Appl. Phys. Lett., 85, 5355 (2004)
J. Kistner, X. Chen, Y. Weng, H.P. Strunk, M.B. Schubert, J.H. Werner. J. Appl. Phys., 110, 023520 (2011)
P.D. Nguyen, D.M. Kepaptsoglou, Q.M. Ramasse, A. Olsen. Phys. Rev. B, 85, 085315 (2012)
L.V. Mercaldo, P.D. Veneri, E. Esposito, E. Massera, I. Usatii, C. Pivato. Mater. Sci. Eng. B, 159, 77 (2009)
A. Zelenina, A. Sarikov, D.M. Zhigunov, C. Weiss, N. Zakharov, P. Werner, L. Lopez-Conesa, S. Estrade, F. Peiro, S.A. Dyakov, M. Zacharias. J. Appl. Phys., 115, 244304 (2014)
D. Hiller, A. Zelenina, S. Gutsch, S.A. Dyakov, L. Lopez-Conesa, J. Lopez-Vidrier, S. Estrade, F. Peiro, B. Garrido, J. Valenta, M. Kov ri nek, F. Trojanek, P. Maly, M. Schnabel, C. Weiss, S. Janz, M. Zacharias. J. Appl. Phys., 115, 204301 (2014)
M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet. Phys. Rev. Lett., 82 (1), 197 (1999)
P.A. Pundur, J.G. Shavalgin, V.A. Gritsenko. Phys. Status Solidi A, 94, 107 (1986)
S.V. Deshpande, E. Gulari, S.W. Brown, S.C. Rand. J. Appl. Phys., 77, 6534 (1995)
J. Robertson. Phil. Mag. B, 69, 307 (1994)
E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson, L.V. Goncharova. J. Appl. Phys., 111, 034307 (2012)
T. Nakamura, S. Adachi. J. Luminesc., 132, 3019 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель