Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование кремния, легированного ионами цинка и отожженного в кислороде

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44102.8285

Привезенцев В.В.¹, Кириленко Е.П.², Горячев А.Н.², Батраков А.А.³

¹Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

³Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия National Research University «Moscow Power Engineering Institute», Moscow, Russia

National Research University «Moscow Power Engineering Institute», Moscow, Russia

Email: v.privezentsev@mail.ru, epkirilenko@gmail.com, andrei.goryachev@mail.ru, batrakovaa@mail.ru

Поступила в редакцию: 19 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования приповерхностного слоя кремния и формирования преципитатов в образцах СZ n-Si(100), имплантированного ионами ⁶⁴Zn⁺ с дозой 5·10¹⁶ см^-2 с энергией 50 кэВ при комнатной температуре с последующим окислением при температурах от 400 до 900^oС. Визуализация поверхности проведена с помощью электронного микроскопа, а приповерхностного слоя с профилированием по глубине с помощью картирования элементов методом оже-электронной спектрокопии. Анализ распределения примесных ионов в кремнии проводился на времяпролетном вторично-ионном масс-спектрометре. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовано химическое состояние атомов матрицы кремния и примесных атомов цинка и кислорода, а также уточнен фазовый состав имплантированного и отожженных образцов. После имплантации Zn наблюдаются два максимума его концентрации: на поверхности пластины и на глубине 70 нм, при этом на поверхности и в приповерхностном слое происходит образование наночастиц фазы металлического Zn и фазы ZnO с размером порядка 10 нм. После отжига в кислороде в Si вблизи поверхности обнаружена фаза ZnO·Zn₂SiO₄, а на глубине 50 нм фаза Zn·ZnO. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44102.8285

Metal Oxide Nanostructures and Their Applications, ed. by A. Umar, Y.-B. Hahn (Chonbuk National University, S. Korea, 2010)
C. Jiang, X. Sun, G. Lo et al. Appl. Phys. Lett. 90, 263501 (2007)
O. Eryu, K. Murakami, K. Takita, K. Masuda. Nucl. Instr. Meth. B, 33, 665 (1988)
G. Zollo, M. Kalitzova, D. Manno, G. Vitali. J. Phys. D: Appl. Phys., 37, 2730 (2004)
I. Muntele, P. Thevenard, C. Muntele, B. Chhay B, D. Ila. Mater. Res. Symp. Proc, 829, paper B.2.21 (2005)
C. Li, Y. Yang, X. Sun, W. Lei, X. Zhang, B. Wang, J. Wang, B. Tay, J. Ye, G. Lo. Nanotechnology, 18, 135604 (2007)
S.Chu, M. Olmedo, Zh. Yang, J. Kong, Z. Yang, J. Liu. Appl. Phys. Lett. 93, 181106 (2008)
C. Li, G. Beirne, G. Kamita, G. Lakhwani, J. Wang, N. Greenham. J. Appl. Phys., 116, 114501 (2014)
G.P. Smestad, M. Gratzel J. Chem. Educ., 75, 752 (1998)
T. Tietze, P. Audehm, Y.-C. Chen, G. Schutz, B. Straumal, S. Protasova, A. Mazilkin, P. Straumal, T. Prokscha, H. Luetkens, Z. Salman, A. Suter, B. Baretzky, K. Fink, W. Wenzel, D. Danilov, E. Goering. Scientiv. Reps., 5: 8871, DOI: 10.1038/srep08871 (2015)
J. Dodds, F. Meyers, K. Loh. Smart Struct. Syst., 12, 0.55 (2013)
P. Chang. Digest J. Nanomater. Biostruct., 9, 777 (2014)
C. Liu, H. Zhao, Y. Shen, G. Jia, J. Wang, Z. Mu. Nucl. Instrum. Meth. B, 326, 23 (2014)
V. Privezentsev, V. Kulikauskas, A. Palagushkin, E. Steinman, A. Tereshchenko, A. Batrakov, S. Ksenich. Sol. St. Phenomena, 242, 369 (2016)
V.V. Privezentsev, E.P. Kirilenko, A.N. Goryachev, A.V. Lutzau. Proc. 23th Intern. Symp. on Nanostructures (NANO 2015), (SPb Academic University, Russia) p. 49
A. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (Wiley, N.Y., 1973)
The NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database. Version 4.1. http://srdata.nist.gov/xps
Z. Jiang, R.A. Brown. Phys. Rev. Lett., 74, 2046 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель