Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии
Минобрнауки России, Федеральная целевая программа , RFMEFI61614X0008
BMBF, International cooperation with research organizations and universities of the Federal Republic of Germany, 05K2014
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 14-02-00638
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 14-02-01157
Жукавин Р.Х.
1, Ковалевский К.А.
1, Орлов М.Л.1, Цыпленков В.В.1, Hubers H.-W.2,3, Dessmann N.3, Козлов Д.В.1, Шастин В.Н.4,1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2DLR Institute of Optical Sensor Systems, Berlin, Germany
3Humboldt-Universitat zu Berlin, Institut fur Physik, Berlin, Germany
4Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: zhur@ipmras.ru, atan4@yandex.ru, orlovm@ipmras.ru, tsyplenkov1@yandex.ru, heinz-wilhelm@huebers.de, Nils.Dessmann@dlr.de, dvkoz@ipmras.ru, shastin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Представлены данные экспериментальных исследований по наблюдению спонтанного излучения и модуляции поглощения в кремнии, легированном бором при возбуждении излучением СО2-лазера, в зависимости от величины приложенного давления вдоль кристаллографических направлений [001] и [011]. В качестве зондирующего использовалось излучение комнатной температуры. Показано, что приложение малых давлений (до 0.5 кбар) приводит к уменьшению потерь в терагерцовом спектре частот на величину порядка 20%. Основной вклад в модуляцию поглощения вызван A+-центрами при малых и нулевых давлениях и межподзонными переходами при увеличении давления, что может быть минимизировано использованием компенсированных образцов.
- А.А. Андронов, И.В. Зверев, В.А. Козлов, Ю.Н. Ноздрин, С.А. Павлов, В.Н. Шастин. ЖЭТФ, 40, 69 (1984)
- S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi B: Basic Sol. St. Phys., 250, 9 (2013). http://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1149211\& selid=20418518
- M. Rochat, L. Ajili, H.Willenberg, J. Faist, H. Beere, G. Davies, E. Linfield, D. Ritchie, Appl. Phys. Lett., 81, 1381 (2002)
- V.N. Smelyanskiy, A.G. Petukhov, V.V. Osipov. Phys. Rev. B, 72, 081 304 (2005)
- M. Fuechsle, J.A. Miwa, S Mahapatra, H. Ryu, S. Lee, O. Warschkow, L.C.L. Hollenberg, G. Klimeck, M.Y. Simmons. Nature Nanotechnology, 7, 242 (2012)
- S.G. Pavlov, N. Deb mann, V.N. Shastin, R.Kh. Zhukavin, B. Redlich, A.F.G. van der Meer, M. Mittendorff, S. Winnerl, N.V. Abrosimov, H. Riemann, H.W. Hubers. Phys. Rev. X, 4, 021 009 (2014)
- K.J. Morse, R.J.S. Abraham, D.P. Franke, N.V. Abrosimov, M.L.W. Thewalt. Phys. Rev. B, 93, 125 207 (2016)
- E.M. Gershenzon, A.P. Mel'nikov, R.I. Rabinovich. In: A.L. Efros, M. Pollak (eds). Electron-Electron Interactions in Disordered Systems (Elsevier Science Publishers, Amsterdam, 1985) p. 483
- R. Haug, E. Sigmund. Phys. Rev. B, 40, 5535 (1989)
- H.R. Chandrasekhar, P. Fisher, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B, 8 (8), 3836 (1973)
- N.Q. Vinh, B. Redlich, A.F.G. van der Meer, C.R. Pidgeon, P.T. Greenland, S.A. Lynch, G. Aepply, B.N. Murdin. Phys. Rev. X. 3, 011 019 (2013)
- T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83 (9), 1713 (2003)
- P.C. Lv, R.T. Troeger, X. Zhang, T.N. Adam, J. Kolodzey, M. A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich. J. Appl. Phys., 98, 093 710 (2005)
- G.B. Wright, A. Mooradian. Phys. Rev. Lett., 18, 608 (1967)
- R. Chandrasekhar, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B, 12, 5780 (1975)
- R. Buczko, F. Bassani, Phys. Rev. B, 45, 5838 (1992)
- N.O. Lipari, A. Baldereschi, M.L.W. Thewalt. Sol. St. Commun., 33(3), 277 (1980)
- J.N. Hovenier, B. Redlich, N. V. Abrosimov, H. Riemann, S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, U. Bottger, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett., 92, 091 111 (2008)
- E.E. Orlova, D.V. Kozlov, A.V. Antonov, J.N. Hovenier, T.O. Klaassen, A.J.L. Adam, M.S. Kagan, I.V. Altukhov, Q.V. Nguyen, D.A. Carder, P.J. Phillips, B. Redlich. Proc. 13th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, Russia (June, 2005) p. 110
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во Петербургский ин-т ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, 1999)
- R.Kh. Zhukavin, S.G. Pavlov, K.A. Kovalevsky, H.W. Hubers, H. Riemann, V.N. Shastin. J. Appl. Phys., 97, 113 708 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.