Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике

DOI: 10.21883/ftp.2016.11.43774.6

Министерство образования и науки Российской Федерации, проектная часть государственного задания, 8.1054.2014/K

Министерство образования и науки Российской Федерации, проектная часть государственного задания, 3.285.2014/K

Министерство образования и науки Российской Федерации, базовая часть государственного задания, 3423

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), инициативные научные проекты, 15-02-07824_а

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), научные исследования под руководством молодых учёных, 15-38-20642мол_а_вед

Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, грант Президента РФ для молодых кандидатов наук, МК-8221.2016.2

Дорохин М.В.¹, Павлов Д.А.², Бобров А.И.², Данилов Ю.А.¹, Лесников В.П.¹, Звонков Б.Н.¹, Здоровейщев А.В.

¹, Кудрин А.В.², Демина П.Б.¹, Усов Ю.В.², Николичев Д.Е.², Крюков Р.Н.², Зубков С.Ю.²

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университета им. Н.И. Лобачевского (физический факультет), Нижний Новгород, Россия

Email: dorokhin@nifti.unn.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы кристаллическая структура, состав, магнитные и электротранспортные свойств слоев Mn_xGa_y, осажденных на поверхность GaAs методами импульсного лазерного осаждения в потоке водорода, импульсного лазерного осаждения в вакууме и электронно-лучевого испарения в высоком вакууме. Показано, что особенности каждого из методов оказывают влияние на состав и кристаллическую структуру формируемых слоев, на степень резкости и кристаллического совершенства гетерограницы. Состав и кристаллическая структура, предположительно, обусловливают модификацию ферромагнитных свойств. Дефекты гетерограницы оказывают влияние на свойства диодной структуры Mn_xGa_y/GaAs, в частности на высоту потенциального барьера диода Шоттки.

Concepts in spin electronics, ed. by S. Maekawa (N. Y, Oxford University Press, 2006)
Y. Xu, D.D. Awschalom, J. Nitta. Handbook of Spintronics (Springer Reference, 2016),
P. Barate, S. Liang, T.T. Zhang, J. Frougier, M. Vidal, P. Renucci, X. Devaux, B. Xu, H.Jaffres, J.M. George, X. Marie, M. Hehn, S. Mangin, Y. Zheng, T. Amand, B. Tao, X.F. Han, Z. Wang, Y. Lu. Appl. Phys. Lett., 105, 012 404 (2014)
L.J. Brillison, R.S. Bauer, R.Z. Bachrach, G. Hansson. Phys. Rev. B, 23, 6204 (1981)
C. Adelmann, J.L. Hilton, B.D. Schultz, S. McKernan, C.J. Palmstrom, X. Lou, H.-S. Chiang, P.A. Crowell. Appl. Phys. Lett., 89, 112 511 (2006)
A.W. Arins, H.F. Jurca, J. Zarpellon, Z.E. Fabrim, P.F.P. Fichtner, J. Varalda, W.H. Schreiner, D.H. Mosca. J. Magnetism Magn. Mater., 381, 83 (2015)
М.В. Дорохин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, Н.В. Малехонова, Е.И. Малышева. ФТТ, 56 (10), 2062 (2014)
E. Schuster, R.A. Brand, F. Stromberg, F.-Y. Lo, A. Ludwig, D. Reuter, A.D. Wieck, S. Hovel, N.C. Gerhardt, M.R. Hofmann, H. Wende, W. Keune. J. Appl. Phys., 108, 063 902, (2010)
A. Sinsarp, T. Manago, F. Takano, H. Akinaga. J. Supercond. Nov. Magn., 20, 405 (2007)
E.S. Demidov, E.D. Pavlova, A.I. Bobrov. JETP, Lett., 96 (11), 706 (2013)
Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Оптич. журн., 75 (6), 56 (2008)
В.В. Подольский, В.П. Лесников, Е.С. Демидов, Д.Е. Николичев, В.Г. Бешенков, С.Н. Гусев, С.Ю. Зубков, С.А. Левчук, М.В. Сапожников. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, (5), 10 (2010)
P.J. Flanders. J. Appl. Phys., 63, 3940 (1988)
Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио и связь. 1982)
М.В. Дорохин, П.Б. Демина, Н.В. Байдусь, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, М.М. Прокофьева. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, (5), 34 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель