"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
Яблонский А.Н.1,2, Морозов С.В.1,2, Гапонова Д.М.1,2, Алешкин В.Я.1,2, Шенгуров В.Г.2, Звонков Б.Н.2, Вихрова О.В.2, Байдусь Н.В.2, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: yablonsk@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Сообщается о наблюдении стимулированного излучения в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложке Si(001) с использованием релаксированного Ge-буфера. Стимулированное излучение наблюдалось при температуре 77 K на длине волны 1.11 мкм, т. е. в области прозрачности объемного Si. В аналогичных гетероструктурах, выращенных на подложке GaAs, стимулированное излучение наблюдалось при комнатной температуре на длине волны 1.17 мкм, что открывает перспективы интеграции таких структур в кремниевую оптоэлектронику.
  1. A.Y. Liu, C. Zhang, J. Norman, A. Snyder, D. Lubishev, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 104, 041 104 (2014)
  2. D. Liang, G. Roelkens, R. Baets, J.E. Bowers. Materials, 3, 1782 (2010)
  3. H. Wada, T. Kamijoh. IEEE J. Select, Topics Quant. Electron., 3, 937 (1997)
  4. H. Wada T. Kamijoh. Jpn. J. Appl. Phys. 1, Regul. Rap. Short Notes, 37, 1383 (1998)
  5. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178, 459 (2008)
  6. A. Lee, H. Liu, A. Seeds. Semicond. Sci. Technol., 28, 015 027 (2013)
  7. J.R. Pesetto, G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 62, 1 (1983)
  8. Yu.G. Sadofyev, N. Samal, B.A. Andreev, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, A.G. Spivakov, A.N. Yablonskiy. Semiconductors, 44, 405 (2010)
  9. S.V. Morozov, D.I. Kryzhkov, A.N. Yablonsky, A.V. Antonov, D.I. Kuritsin, D.M. Gaponova, Yu.G. Sadofyev, N. Samal, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasilnik. J. Appl. Phys., 113, 163 107 (2013)
  10. D.I. Kryzhkov, A.N. Yablonsky, S.V. Morozov, V.Ya. Aleshkin, B.N. Zvonkov, O.V. Vikhrova, Z.F. Krasilnik. J. Appl. Phys., 116, 203 102 (2014)
  11. Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева. ФТП, 47, 1231 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.